[发明专利]自适应互补金属氧化物半导体图像传感器读出电路系统无效
| 申请号： | 200810151272.6 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101355637A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 罗文哲;曹庆红;李斌桥;韩明;陈雷;陈巨;任晓慧;黄碧珍;万涛涛 | 申请（专利权）人： | 罗文哲;曹庆红 |
| 主分类号： | H04N3/15 | 分类号： | H04N3/15;H04N5/235 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 江镇华 |
| 地址： | 200000上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自适应 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 读出 电路 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种自适应互补金属氧化物半导体图像传感器读出电路系统，包括有：像素信号电压输入(1)和模数转换器(3)，其特征在于，还设置有可变增益放大器(4)和比较器(5)，其中，可变增益放大器(4)和比较器(5)分别接收像素信号电压输入(1)的电压，可变增益放大器(4)的输出信号经模数转换器(3)至输出端(Out)，比较器(5)的输出信号分别至可变增益放大器(4)及输出端(Out)。
2.根据权利要求1所述的自适应互补金属氧化物半导体图像传感器读出电路系统，其特征在于，所述的比较器(5)可设置1个或1个以上，当所述的比较器(5)设置1个以上时，各比较器(5)是并联连接。
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