[发明专利]高电化学容量氧化石墨烯及其低温制备方法和应用在审
| 申请号： | 200810151807.X | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101367516A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 杨全红;吕伟;孙辉 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人： | 赵敬 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电化学 容量 氧化 石墨 及其 低温 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种高电化学容量氧化石墨烯的制备方法，所述的氧化石墨烯片层厚度为0.35～20nm，比表面积为200～800m2/g，电化学比容量达到50～220F/g，其特征在于包括以下过程：在真空度0.01Pa～10kPa下，将氧化石墨以5～50℃/min的升温速率升温到150～600℃进行高真空热处理，维持恒温0.5～20h，氧化石墨体积迅速膨胀，得到氧化石墨烯材料。
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