[发明专利]真空镀膜镀层基片局部蚀刻工艺无效
| 申请号： | 200810153564.3 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101463460A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 刘福祥;历振涛;魏红军 | 申请（专利权）人： | 天津市中环高科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/22;C23F1/02;B44C1/22 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 莫 琪 |
| 地址： | 300385天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空镀膜 镀层 局部 蚀刻 工艺 | ||
【权利要求书】：
1、一种真空镀膜镀层基片局部蚀刻工艺，其特征是包括按如下工艺步骤：
(1)将整张基片(金属板/塑料板/透明、半透明、有色胶片)表面进行真空镀膜；
(2)在已镀膜基片表面采用丝网印刷的方法，印刷出产品图案；
(3)对已镀膜、且膜层表面已印刷出产品图案的基片压贴保护膜；
(4)在已压贴保护膜的基片表面，沿产品图案即需要蚀刻镀层区域边界分切保护膜；
(5)手工揭去需要蚀刻镀层区域的保护膜；
(6)进行蚀刻；
(7)揭去所有保护膜，水洗烘干。
2、如权利要求1所述的真空镀膜镀层基片局部蚀刻工艺，其特征是所述的工艺步骤中，基片压贴保护膜和分切保护膜步骤是在压膜机上安装分切刀具，由同一台压膜机进行压膜和分切，先分切后压膜连续完成。
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