[发明专利]液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料及制备方法

权利要求书

1.一种液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料，其特征是液相电沉积薄膜温差电材料包括：1)低温区使用的Bi₂Te₃及其掺杂温差电材料、ZnSb及其掺杂温差电材料、Sb₄Te₅及其掺杂温差电材料；2)中温区使用的Pb_1-XSn_XTe及其掺杂温差电材料、PbTe及其掺杂温差电材料、SbTe及其掺杂温差电材料、Bi(SiSb₂)及其掺杂温差电材料、Bi₂(GeSe)₃及其掺杂温差电材料、CoAs₃及其掺杂温差电材料、CoSb₃及其掺杂温差电材料、Sr₈Ga₁₆Ge₃₀及其掺杂温差电材料、Ba₈Ga_xGe_46-x及其掺杂温差电材料、ZrNiSn.及其掺杂温差电材料、MNiSn及其掺杂温差电材料、CoSb及其掺杂温差电材料、CsBi₄Te₆及其掺杂温差电材料；.3)高温区使用的MnSi_1.7及其掺杂温差电材料、FeSi₂及其掺杂温差电材料、CoSi及其掺杂温差电材料和Ge_1-XSi_X及其掺杂温差电材料。

2.权利要求1的液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料的制备方法，由电源、电源连接导线、阳极、阴极、电沉积容器、电沉积溶液、搅拌装置构成的电沉积体系中进行；其特征是电源的两个极柱通过二根电源连接导线分别连接到位于电沉积溶液中的阳极和阴极，电沉积溶液置于电沉积容器内，位于电沉积溶液中的阳极和阴极分别位于电沉积容器的两侧；接通电源开关，启动溶液搅拌装置对电沉积溶液进行搅拌，通过调节输出电流或者电压的大小，控制电沉积溶液中的离子在阴极的沉积速率，在阴极表面制备出薄膜温差电材料。

3.如权利要求2所述的一种液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料的制备方法，其特征是所述的电沉积体系中增加惰性气体装置，在电沉积溶液中通入惰性气体以去除电沉积溶液中的溶解氧。

4.如权利要求2所述的一种液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料的制备方法，其特征是所述的电沉积溶液包括薄膜温差电材料组成元素的离子、增加溶液电导率的导电离子以及添加剂；薄膜温差电材料组成元素的离子是Bi³⁺、GeO₃^2-、Fe²⁺、Fe³⁺、Co²⁺、Mn²⁺、HTeO₃^-，SeO₃^2—，Sb³⁺，Sn²⁺、SiO₃^-2、pb²⁺中Ni²⁺、Sn²⁺、Co³⁺、Zr⁴⁺、SiO₃^2-、As⁵⁺、Ga³⁺、MnO₄^1-、Cs¹⁺、Zr4⁺或Zn²⁺离子中的一种或者多种，电沉积溶液中的导电离子是SO₄^2-，NO₃^-，ClO₄^-、F^-，Cl^-，Br^-，I^-、Na⁺或K⁺离子中的一种或者多种；这些离子在电沉积溶液中是以简单离子的形式存在或以络合离子的形式存在；电沉积溶液中的添加剂，是电沉积溶液稳定剂，或者电沉积用极板的稳定剂，或者络合剂，或着PH缓冲剂。