[发明专利]一种富集痕量恩诺沙星的分子印迹聚合物的制备方法

权利要求书

1.一种富集痕量恩诺沙星的分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：

1)在N，N-二甲基甲酰胺溶剂中加入恩诺沙星，3-氨基丙基三乙氧基硅烷和甲烷磺酸活化硅球，水浴46℃搅拌反应30min，再加入四乙氧基硅烷和氨水，在46℃下孵育14h；

2)将上述的聚合产物经过纯甲醇淋洗过滤后在100～110℃温度条件下，老化10～12h，然后加入1mol/L盐酸和二氯甲烷，搅拌3～4h后抽滤，用1mol/L碱和二次去离子水洗至中性；

3)将制得的块状聚合物用纯甲醇与冰乙酸的抽提液在索氏提取器中抽提12～18h，然后在60～80℃温度条件下真空干燥10～12h，即得到恩诺沙星高选择吸附功能材料。

2.根据权利要求1所述的一种富集痕量恩诺沙星的分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：所述N，N-二甲基甲酰胺、恩诺沙星、3-氨基丙基三乙氧基硅烷的摩尔比例为130∶1.40∶4.30。

3.根据权利要求1所述的一种富集痕量恩诺沙星的分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：所述的四乙氧基硅烷与氨水的摩尔比例为128∶1。

4.根据权利要求1所述的一种富集痕量恩诺沙星的分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：所述的盐酸与二氯甲烷重量比为1∶72。

5.根据权利要求1所述的一种富集痕量恩诺沙星的分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于：所述的甲醇与冰乙酸的提取液甲醇与冰乙酸的体积比为9∶1。