[发明专利]高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀膜工艺方法无效
| 申请号： | 200810154522.1 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101477858A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张之圣;王秀宇;邹强;白天;潘有桐;常力峰;潘有胜 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人： | 王小静 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稳定 高精度 阻值 金属膜 电阻器 及其 溅射 镀膜 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器，其特征在于该金属膜电阻器的阻值100MΩ，精度0.5％，过载0.5％，电阻温度系数TCR50PPm/℃，它是在高阻溅射靶材上通过磁控溅射方法制备而成，具体操作是由恒流电源进行溅射，所述的高阻溅射靶材是Cr-Si系，其中，Si 45-55％，Cr 40-50％，Ni 3-6％，Ti 0.1-0.3％；
所述的靶材在磁控溅射镀膜机上进行溅射的工艺参数：
在真空3×10-3Pa下进行，溅射真空度为5×10-1Pa，溅射电压为300～400V，溅射电流为0.1～0.2A，氩气输入量30L/min，氧气输入量1.5L/min，溅射时间1～3h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810154522.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变压器器身用装配架
- 下一篇：一种使用语音对农业设备进行控制的系统及控制方法
