[发明专利]光掩模坯料、抗蚀图案成形方法以及光掩模制备方法

权利要求书

1.光掩模坯料，其上沉积有抗蚀膜，所述抗蚀膜包含

(A)基础树脂，该基础树脂不溶于碱性水溶液，但是在酸的作用下变成可溶 于含水碱性显影剂，

(B)产酸剂，

(C)碱性化合物，和

(D)聚合物，该聚合物包含具有侧链的第一重复单元，该侧链具有带有羟基 的第一氟化烃基，该第一氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合 的邻近碳原子，该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子，

其中基础树脂(A)包含具有芳族结构的重复单元，

聚合物(D)作用在于致使在包含组分(A)-(D)的抗蚀膜与中性水的接触角比 包含组分(A)-(C)且无组分(D)的抗蚀膜的接触角要大，

聚合物(D)的第一重复单元具有通式(1)或(2)，或者具有式(1)和(2)重复 单元的组合：

其中R¹和R²各自独立地是氢或者直链、支链或环状C₁-C₆烷基，或者R¹和 R²可以一起键连形成环，R¹和R²的组合代表总计2-12个碳原子的二价有机基，

R³和R⁴各自独立地是氢或者甲基，

R⁵是其中至少一个氢原子可以被氟原子取代的直链、支链或环状C₁-C₆亚烷 基，R⁶独立地是其中至少一个氢原子被氟原子取代的直链或支链C₁-C₁₀烷基，或 者R⁵和R⁶可以一起键连形成环，R⁵和R⁶的组合代表总计2-12个碳原子的三价有 机基，以及

X¹是-C(＝O)-，-C(＝0)-O-，-O-，-C(＝O)-R⁷-C(＝O)-，或者 -C(＝0)-O-R⁷-C(＝0)-O-其中R⁷是直链、支链或环状C₁-C₁₀亚烷基，

聚合物(D)进一步包含具有侧链的第二重复单元，该侧链具有不同于第一 氟化烃基且不存在第一氟化烃基的第二氟化烃基，

聚合物(D)的第二重复单元具有通式(3)：

其中R⁸独立地是氢或者甲基，R⁹是其中至少一个氢原子被氟原子取代的直 链、支链或环状C₁-C₁₀烷基，以及X²是-C(＝0)-，-C(＝0)-O-，-O-，-C(＝O)-R¹⁰-C(＝0)-， 或者-C(＝O)-O-R¹⁰-C(＝0)-O-其中R¹⁰是直链、支链或环状C₁-C₁₀亚烷基，

所述聚合物(D)进一步包含另一不同于第一和第二重复单元的重复单元，其 量基于全部聚合物(D)重复单元计为至多20mol％，和

所述抗蚀膜相对每100重量份组分(A)包含0.1-10重量份聚合物(D)。

2.权利要求1的光掩模坯料，其中聚合物(D)包括主要重复单元，该重复 单元中形成聚合主链的原子不是环状结构的部分。

3.权利要求1的光掩模坯料，其中利用电子束光刻法将图案写入抗蚀膜。