[发明专利]一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种荫罩式等离子体显示屏，尤其是一种集封接、排气、充气于一体的荫罩式等离子显示屏的封接方法及其装置，具体地说是一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置。

技术背景

目前，在等离子体显示屏PDP前、后基板的封接过程中，通常采用低熔点玻璃粉进行封接。低熔点玻璃粉材料有两种，结晶型低熔点玻璃粉和非结晶型低熔点玻璃粉。结晶型低熔点玻璃粉封接温度高，但只能一次烧结；非结晶型低熔点玻璃粉可进行多次加热封接。因此，在等离子体显示屏PDP制造中采用非结晶型低熔点玻璃粉。制作工艺中先对封接框进行预烧彻底除气，增加机械强度。在最后封屏过程中，一般有两种封接方式：一种是封接过程始终在大气环境中进行。封接完毕，通过预留的排气孔对其进行排气、充气。这种工艺比较成熟，在等离子体显示屏PDP封接中应用比较广泛。但是，显示屏内部特别是中心区域的真空度不够高，显示屏的质量不高；另一种封接过程中先是在大气气氛下进行，待温度升至接近低熔点玻璃粉软化时，对封接炉抽真空，然后进行排气、充气工艺，最后升高温度完成封接。但是，它的工艺步骤多，消耗时间长，还需要较长时间的老练性能才能稳定。总的来说，现有的荫罩式等离子体显示屏的封接方法存在以下几个问题：(1)等离子体显示屏的屏内部特别是中心区域的真空度不够高；(2)封接工艺步骤多，消耗时间长；(3)现有的封接方法制作的显示屏需要较长时间的老练性能才能稳定。因此，现有的荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置不能满足显示屏内部真空度高、封接工艺步骤精简、消耗时间短、稳定性好的要求，不能达到现有生产的需要。

发明内容

本发明的目的是针对现有的荫罩式等离子体显示屏的封接的制作工序复杂，制屏效率低、稳定性差的问题，提出一种改善荫罩式等离子体显示屏的性能指标、简化荫罩式等离子体显示屏的制作工艺、提高制屏效率的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置。

本发明的技术方案是：

1、一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是它包括以下步骤：

a.制作荫罩式等离子体显示屏的前基板和后基板，在前基板的介质层和后基板的介质层的内表面分别蒸镀保护膜和保护膜；

b.将荧光粉均匀喷涂在位于前基板和后基板之间的荫罩的网格孔内，在前基板和后基板的四周或者在荫罩的四周涂覆低熔点玻璃粉制作封接框，然后对封接框进行预烧；

c.将前基板、后基板和荫罩进行对准，用夹具夹好，然后放入荫罩式等离子体显示屏的封接装置的真空室内；

d.首先对真空室抽真空，真空室的真空度达到10-3帕开始对真空室加热，加热至380-400℃，对真空室保温并持续抽真空，直到真空室的真空度达到10-5帕，向真空室中充入工作气体，充气后在20分钟内真空室升温至400-500℃，然后保温15-30分钟，真空室开始降温，当真空室的温度低于70℃时，封接完成，取出封接好的荫罩式等离子体显示屏。

2、本发明所述的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是所述的工作气体压强为1.2个标准大气压，真空室从室温加热至380-400℃的升温速率为4-6℃/min，真空室从380-400℃到400-500℃的升温速率为9-11℃/min，真空室从400-500℃到70-90℃的降温速率为1-2℃/min。

3、本发明所述的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是所述的保护膜为MgO保护膜。

4、本发明所述的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是所述的封接框为含碳量低的材料，封接框在封接时后基板的四周放置相当厚度的金属条支撑物。

5、一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置，其特征是它包括由真空腔体和加热板构成的真空室，由充气阀门、流量计、气瓶开关和气瓶构成的充气系统，由抽气阀门、电离规管、分子泵、机械泵、分子泵开关和机械泵开关构成的抽气系统，排气阀门，电离规、气压表和加热开关，加热板装在真空室内，加热板与加热开关相连，真空室通过管路与分子泵连接，管路上装有抽气阀门，抽气阀门与分子泵连接的管路上装有电离规管，分子泵连有分子泵开关，分子泵与机械泵连接，机械泵连有机械泵开关，真空室通过管路与电离规连接，真空室上装有排气阀门和气压阀，真空室通过管路与气瓶连接，管路上装有充气阀门，充气阀门与气瓶之间的管路上装有流量计，气瓶上装有气瓶开关。

本发明的有益效果：