[发明专利]碳化硅基片的抛光液

说明书

所属技术领域

本发明涉及光电子领域使用的碳化硅基片表面加工。

背景技术

碳化硅(SiC)晶体是光电子领域重要的基础材料，它是生产GaN薄膜不可缺少的衬底材料。

质量不好的碳化硅基片，在其上长不出满足发光二极管(LED)所需的GaN薄膜。而碳化硅基片的质量由碳化硅基片的抛光工艺来保证，抛光液的配方和质量是决定碳化硅基片的抛光质量的关键因素。

发明内容

本发明提出一种新的碳化硅基片的抛光液的配方，该抛光液的配方不仅能够提高碳化硅基片的抛光质量，而且能够降低碳化硅基片的加工成本。

碳化硅基片抛光液组成是：颗粒直径为20纳米～50纳米溶胶型二氧化硅(SiO₂)，去离子水，氢氧化钠(NaOH)，聚氧乙烯酰胺。它们的质量比是：二氧化硅∶去离子水∶氢氧化钠∶聚氧乙烯酰胺＝1∶2∶0.01∶0.06。

二氧化硅作为抛光材料，它具有较低的硬度，采用近似球状外形的二氧化硅，较小的颗粒直径(20纳米～50纳米)，通过化学机械抛光，从而获得良好的抛光表面。去离子水具有较高的纯度。氢氧化钠是用于对抛光液pH值的调整。聚氧乙烯酰胺作为悬浮剂，能够使得碳化硅基片抛光液长时间放置不沉淀。

发明效果

本发明的有益效果是：使用本抛光液进行抛光，能够有效消除碳化硅基片磨削过程中产生的加工损伤层，保证基片抛光面的粗糙度(RMS)＜0.3纳米，同时使用该抛光液能够缩短碳化硅基片的加工时间，降低生产成本。