[发明专利]一次焊接机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法有效

专利信息
申请号: 200810156038.2 申请日: 2008-09-26
公开(公告)号: CN101355041A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 曹榆;戴小薇;韩平 申请(专利权)人: 昆山晨伊半导体器件厂
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 代理人: 董建林;许婉静
地址: 215332江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一次 焊接 机动车 雪崩 整流二极管 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种一次焊接成型的机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法,其特征在于:包括以下步骤:

1)通过一次焊接将一体化引线(5)、焊片(3)、硅片(2)、另一焊片(3)和底座(1)依次组合在一起,直接制成整流二极管;

2)通过湿法酸腐蚀,对裸露的PN结表面进行酸洗;

3)使用聚酰亚胺材料对PN结表面进行钝化;

4)封装。

2.根据权利要求1所述的一次焊接成型的机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法,其特征在于:在步骤1)过程中,采用熔点为287℃的焊料及真空焊接工艺进行焊接。

3.根据权利要求1所述的一次焊接成型的机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法,其特征在于:所述底座(1)的底部为圆柱体(6),在圆柱体(6)的上部中心位置有一突台(7),在圆柱体(6)上部还设置有一个与突台(7)同心的圆环(8),所述圆环(8)的横截面为“  『”型,且弯折处的内部为圆弧形。

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