[发明专利]一次焊接机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法有效
申请号: | 200810156038.2 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN101355041A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 曹榆;戴小薇;韩平 | 申请(专利权)人: | 昆山晨伊半导体器件厂 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人: | 董建林;许婉静 |
地址: | 215332江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一次 焊接 机动车 雪崩 整流二极管 生产 方法 | ||
1.一种一次焊接成型的机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)通过一次焊接将一体化引线(5)、焊片(3)、硅片(2)、另一焊片(3)和底座(1)依次组合在一起,直接制成整流二极管;
2)通过湿法酸腐蚀,对裸露的PN结表面进行酸洗;
3)使用聚酰亚胺材料对PN结表面进行钝化;
4)封装。
2.根据权利要求1所述的一次焊接成型的机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法,其特征在于:在步骤1)过程中,采用熔点为287℃的焊料及真空焊接工艺进行焊接。
3.根据权利要求1所述的一次焊接成型的机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法,其特征在于:所述底座(1)的底部为圆柱体(6),在圆柱体(6)的上部中心位置有一突台(7),在圆柱体(6)上部还设置有一个与突台(7)同心的圆环(8),所述圆环(8)的横截面为“ 『”型,且弯折处的内部为圆弧形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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