[发明专利]一种高发光效率的荫罩式等离子体显示板

说明书

技术领域

本发明涉及一种荫罩式等离子体显示板，尤其涉及到一种高发光效率的荫罩式等离子体显示板，具体地说是一种在后基板制备立体寻址电极的荫罩式等离子体显示板。

背景技术

目前采用的荫罩式等离子体显示板主要包括前基板、后基板和荫罩。前基板从玻璃基板起，分别是扫描电极、介质层以及在介质层表面形成的保护层；后基板从玻璃基板起，分别是与扫描电极垂直的寻址电极，介质层以及在介质层上形成的保护层；夹在前、后基板中间的荫罩是由导电材料(例如铁或其合金)加工而成的包含网孔阵寻址的金属薄网板。将上述前基板、荫罩和后基板组装封接后充入预定的工作气体，譬如各种惰性气体，即形成了荫罩式等离子体显示板。目前荫罩式等离子体显示板采用对向放电的工作原理，其工作原理如下：首先，在寻址电极组和扫描电极之间加一高压窄脉冲或斜坡脉冲擦除信号，擦除上次放电积累的壁电荷；然后在扫描电极上加一高脉冲寻址电压选中该行，同时在寻址电极上施加该行的数据脉冲，该数据脉冲电压幅度与扫描电压之差高于扫描电极与寻址电极之间的着火电压，控制触发放电，从而在该行形成与所需显示信息对应的壁电荷分布；在逐行完成整屏图象初始放电之后，在扫描电极组和寻址电极之间施加维持放电脉冲，以显示该帧图象。如此循环即可逐帧显示图象。对彩色荫罩式等离子体显示板而言，荫罩的面孔为大孔，与前基板面对放置，内壁涂敷三基色荧光粉，荫罩的底孔为小孔，小孔间由通槽联通，底孔与后基板面对放置，每一放电单元中气体放电产生的真空紫外光，激发不同荧光材料发出相应的三基色光。上述荫罩式等离子体显示板中存在如下问题：1)荫罩网板在制备工程中为保证面孔和底孔的尺寸精度，必须采用双面刻蚀工艺，面孔的刻蚀深度与底孔刻蚀深度比与面孔开口与低孔开口比相关，除此之外，面孔的刻蚀深度还与荫罩网板的强度要求有关，通常面孔刻蚀深度占荫罩厚度的1/2～2/3，这样造成了面孔和底孔结构的不对称。2)由于采用对向型放电结构，放电空间集中在上下基板的电极之间，即电场作用的距离是整个荫罩厚度，而荧光粉只能涂覆在面孔的内壁表面，但作用在底孔空间的电场依然存在，此电场作用对可见光的产生几乎是无效的，导致了发光效率较低。3)底孔空间小，无法涂覆荧光粉，在此放电空间产生的深紫外光几乎无法激发面孔内壁的荧光粉发光，使荫罩式等离子体显示板亮度和发光效率较低。

发明内容

本发明的目的是针对现有的荫罩式等离子体显示板采用对向型放电产生的问题，发明一种提高亮度和发光效率的荫罩式等离子体显示板，在后基板制备立体扫描电极，填堵底孔空间，同时降低对向电极作用距离，以提高发光效率。

本发明的技术方案是：

一种高发光效率的荫罩式等离子体显示板，包括前基板、后基板、荫罩，其中荫罩封装在前基板、后基板之间，所述的前基板包括前衬底玻璃基板、扫描电极、前基板介质层、前基板保护层，扫描电极平行在前衬底玻璃基板上，前基板介质层覆盖在扫描电极上，前基板保护层覆盖在前基板介质层上；所述的后基板包括后衬底玻璃基板、立体寻址电极、后基板介质层和后基板保护层，立体寻址电极平行设置在后衬底玻璃基板上，后基板介质层覆盖在立体寻址电极上，后基板保护层则覆盖在后基板介质层上；立体寻址电极与扫描电极成空间垂直正交；荫罩为一厚度d为0.1～1.0mm的包含面孔阵列和底孔阵列的导电板，面孔与底孔属于同一个放电单元的上下表面，前基板相对的面孔的面积是其与后基板相对的底孔面积的10～20倍，每一个面孔的上开口宽度为底孔下开口宽度的2～4倍；其特征在于：每一个面孔的深度是底孔的深度的2～4倍，扫描电极与荫罩上的面孔的上开口面对放置并置于中间位置，立体寻址电极与荫罩上的底孔的下开口呈嵌入状态并置于中间位置；所述扫描电极与立体寻址电极组成介质阻挡型交流放电型的基本单元，使立体寻址电极及后基板介质层构成的阵列与底孔及连接底孔间的通槽呈嵌入状态；使整体放电空间压缩在面孔的空间里，扫描电极与立体寻址电极的最短作用距离接近面孔的深度，也就是说立体电极填堵了底孔的高度，使两电极间的距离变短，近似为面孔的深度，在面孔内壁涂覆荧光粉层。

比较好的是，本发明的立体寻址电极及后基板介质层的高度是底孔深度的0.3～0.7倍，立体寻址电极及后基板介质层的总宽度是下开口宽度的0.3～0.5倍，覆盖在立体寻址电极上面的后基板介质层的厚度与覆盖在前基板上的前基板介质层厚度相同。