[发明专利]p型掺杂CuCrO2基稀磁半导体材料及其制备方法

权利要求书

1、p型掺杂CuCrO₂基稀磁半导体材料，其特征在于分子结构式为CuCr_1-xTM_xO₂，TM代表过渡金属Fe、Co、Ni、Mn，掺杂浓度0≤x≤0.20。

2、根据权利要求1所述的p型CuCrO₂基稀磁半导体材料的制备方法，其特征在于是按以下步骤完成：

(a)按铜、铬和过渡金属的摩尔比为1：(0.80～1)：(0～0.20)，称量乙酸铜、硝酸铬及过渡金属盐，将粉末加入到蒸馏水中并加入柠檬酸，在室温下进行搅拌至完全溶解，获得混合均匀的溶液；

(b)将搅拌后的溶液在烘箱中80-150℃烘干获得前驱体粉末；

(c)将前驱体粉末研磨后放入炉子中300～500℃预烧，去除粉末中的有机物；

(d)将预烧得到的粉末1000-1200℃高温烧结，制备出CuCr_1-xTM_xO₂粉末；

(e)将获得的粉末用压片机压成片状块体，并在1000-1200℃烧结，得到CuCr_1-xTM_xO₂块体材料。

3、根据权利要求2所述的p型CuCrO₂基稀磁半导体材料的制备方法，其特征在于是按以下步骤完成：

(a)按铜、铬和过渡金属的摩尔比为1：(0.80～0.90)：(0.10～0.20)，称量乙酸铜、硝酸铬及过渡金属盐，将粉末加入到蒸馏水中并加入柠檬酸，在室温下进行搅拌至完全溶解，获得混合均匀的溶液；

(b)将搅拌后的溶液在烘箱中80-150℃烘干获得前驱体粉末；

(c)将前驱体粉末研磨后放入炉子中300～500℃预烧2-4小时，去除粉末中的有机物；

(d)将预烧得到的粉末1000-1200℃高温烧结9-11小时制备出CuCr_1-xTM_xO₂粉末；

(e)将获得的粉末用压片机压成圆形的片状块体，并在1000-1200℃烧结9-11小时，得到CuCr_1-xTM_xO₂块体材料。