[发明专利]通过加热衬底生产的半导体器件的制造设备和制造方法

权利要求书

1.一种用于半导体器件的制造设备，包括：

夹持衬底(1)的基座(2)；

在基座(2)的表面处形成的多个袋(4)；

加热器构件(6)，相反于夹持所述衬底(1)的所述基座(2)的一侧，所述加热器构件(6)被安排在所述基座(2)的背侧，用于加热所述衬底(1)；

支撑构件(11)，其位于所述衬底(1)和所述基座(2)之间，包括支撑所述衬底(1)的支撑部分(12)并具有与所述衬底(1)的形状基本上相同的平面形状，所述支撑部分(12)支撑所述衬底(1)的外部周围区域，以使得所述支撑构件(11)通过支撑部分(12)在所述外部周围区域与所述衬底(1)形成接触；

在所述衬底(1)和除了支撑部分(12)的区域之外的支撑构件(11)之间的间隙(13)；以及

盘形间隔物(14)，其位于所述基座(2)和所述支撑构件(11)之间，以在与支撑构件(11)面对所述衬底(1)的一侧相对的所述支撑构件(11)的相反面侧形成接触，并且在所述支撑构件(11)的所述相反面侧，具有在与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、所述间隔物(14)的外部周围区域处形成的开口(15)。

2.根据权利要求1所述的用于半导体器件的制造设备，其中，所述开口(15)被用具有比所述间隔物(14)低的热导率的材料(25)填充。

3.根据权利要求1所述的用于半导体器件的制造设备，其中，所述支撑部分(12)由在至少三个地方的凸起形成。

4.一种半导体器件的制造方法，采用权利要求1中限定的所述制造设备，该制造方法包括以下步骤：

将所述衬底(1)装载到所述基座(2)中形成的所述袋(4)中(S20)，并且在所述袋(4)中布置有所述支撑构件(11)和所述盘形间隔物(14)，以使得：

所述支撑构件(11)位于所述衬底(1)和所述基座(2)之间，所述支撑构件(11)包括用于支撑所述衬底(1)的所述支撑部分(12)并具有与所述衬底(1)的形状基本上相同的平面形状，

所述盘形间隔物(14)位于所述基座(2)和所述支撑构件(11)之间并且被配置为与所述支撑构件(11)的相反面侧形成接触，并且，在所述支撑构件(11)的所述相反面侧处，所述盘形间隔物(14)具有在与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、所述间隔物(14)的外部周围区域处形成的所述开口(15)，

所述衬底(1)的外围区域和用于支撑的所述支撑构件(11)的所述支撑部分(12)相接触，并且

所述间隙(13)位于所述衬底(1)和除了支撑部分(12)的区域之外的支撑构件(11)之间，以及

通过所述加热器构件(6)来加热所述衬底(1)(S30)，其中，在所述盘形间隔物(14)处形成所述开口(15)，由此使得，相对地减少通过热传导从所述基座(2)到设置有所述支撑部分(12)的所述支撑构件(11)的区域所传递的热量，并且因此减少了在与所述支撑部分(12)相接触的所述衬底(1)的外围区域处传递到所述衬底(1)的热量，进而能够抑制所述衬底(1)上的温度分布的发展。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，半导体包括氮化物型化合物半导体。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述半导体器件包括半导体发光元件。