[发明专利]检测X-射线的方法及X-射线检测装置无效
申请号: | 200810160827.3 | 申请日: | 2008-09-16 |
公开(公告)号: | CN101393266A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 郑宽旭;秋大镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 戎志敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 射线 方法 装置 | ||
1、一种检测X-射线的方法,包括:
向光电二极管施加第一反向偏置;
使用由X-射线产生的光电探测电压,输出与施加于光电二极管的X-射线的数量相对应的图像信号;以及
向光电二极管施加正向偏置。
2、根据权利要求1的方法,其中,施加第一反向偏置包括:
向光电二极管的n-侧电极施加参考电压;以及
向光电二极管的p-侧电极施加低于参考电压的第一电压。
3、根据权利要求2的方法,其中,施加正向偏置包括:
向n-侧电极施加参考电压;以及
向p-侧电极施加高于参考电压的第二电压。
4、根据权利要求3的方法,其中,参考电压是在1V到2V的范围内,第一电压是在-4V到-3V的范围内,以及第二电压是在2.5V到3.5V范围之内。
5、根据权利要求3的方法,还包括:向光电二极管施加高于第一反向偏置的第二反向偏置。
6、根据权利要求5的方法,其中,施加第二反向偏置包括:
向n-侧电极电极施加参考电压;以及
向p-侧电极施加低于第一电压的第三电压。
7、根据权利要求6的方法,其中,参考电压是在1V到2V的范围内,第一电压是在-4V到-3V的范围内,第二电压是在2.5V到3.5V范围之内,以及第三电压是在-9V到-8V的范围内。
8、根据权利要求1的方法,其中,输出图像信号包括:
检测向数据线施加的第一采样电压;
检测第二采样电压,所述第二采样电压是第一采样电压和光电探测电压的组合电压;以及
使用第一和第二采样电压,输出图像信号。
9、根据权利要求8的方法,其中,检测第二采样电压包括:导通薄膜晶体管(TFT),从而数据线和p-侧电极彼此电连接。
10、根据权利要求8的方法,还包括:在向数据线施加第一采样电压之前,通过参考电压复位施加于数据线的电压。
11、一种检测X-射线的方法,包括:
向光电二极管施加正向偏置;
向光电二极管施加第一反向偏置;以及
使用由X-射线产生的光电探测电压,输出与施加于光电二极管的X-射线的数量相对应的图像信号。
12、根据权利要求11的方法,还包括:向光电二极管施加正向偏置之后且在向光电二极管施加第一反向偏置之前,向光电二极管施加高于第一反向偏置的第二反向偏置。
13、一种X-射线检测装置,包括:
光电探测基板,包括光电二极管,所述光电二极管响应施加于光电二极管的X-射线,产生光电探测电压;
信号输出部分,根据光电探测电压输出图像信号;以及
偏置驱动部分,包括:
偏置产生部分,产生用于产生光电探测电压的第一反向偏置
和用于使光电二极管充满捕获电荷的正向偏置;以及
偏置选择部分,选择第一反向偏置或正向偏置,所述偏置选择部分向光电二极管施加第一反向偏置和正向偏置中所选的一个。
14、根据权利要求13的装置,其中,光电探测基板还包括:
沿着第一方向形成的栅极线;
沿着与第一方向交叉的第二方向形成的数据线,所述数据线电连接到信号输出部分;
偏置线,将光电二极管的p-侧电极与偏置驱动部分电连接;以及
TFT,包括分别与栅极线、数据线和光电二极管的n-侧电极电连接的栅电极、源电极和漏电极。
15、根据权利要求14的装置,还包括:电连接到栅极线的栅极驱动部分,所述栅极驱动部分导通或截止TFT。
16、根据权利要求14的装置,其中,在n-侧电极处产生参考电压,以及
偏置驱动部分向p-侧电极施加低于参考电压的第一电压,从而偏置选择部分向光电二极管施加由偏置选择部分选择的第一反向偏置,以及
偏置驱动部分向p-侧电极施加高于参考电压的第二电压,从而偏置选择部分向光电二极管施加由偏置选择部分选择的正向偏置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810160827.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。