[发明专利]半导体光元件的制造方法有效
| 申请号： | 200810160916.8 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101499625B | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 境野刚 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体光元件的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：
在第一半导体层上形成槽；
在所述槽内形成含有Al元素的第二半导体层；
在所述第一半导体层以及所述第二半导体层上形成第三半导体层；
在所述第三半导体层上，以覆盖所述第二半导体层的上方的方式， 形成宽度比所述第二半导体层的宽度宽的绝缘膜；
将所述绝缘膜作为掩模，不使所述第二半导体层露出地刻蚀所述第 一半导体层以及所述第三半导体层，形成条纹结构；
由埋入层埋入所述条纹结构。
2.根据权利要求1半导体光元件的制造方法，其特征在于，
还包括如下步骤：在形成所述条纹结构后、形成所述埋入层前，在 用于形成所述埋入层的结晶生长装置内，利用卤类气体的干法刻蚀，使 所述第二半导体层的侧面露出。
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