[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

高耐压半导体开关元件，该高耐压半导体开关元件可以受外加给栅电极的栅电压的控制；和

电流检出单元，该电流检出单元具有能够检出流入所述高耐压半导体开关元件的电流的一部分的检出电阻，

所述高耐压半导体开关元件，具备：

第2导电型的基极区域，该第2导电型的基极区域形成在第1导电型的半导体基板内；

第1导电型的第1发射极/源极区域，该第1导电型的第1发射极/源极区域形成在所述基极区域内；

第2导电型的集电极区域，该第2导电型的集电极区域形成在所述半导体基板内并与所述基极区域隔离；

第1导电型的漏极区域，该第1导电型的漏极区域形成在所述半导体基板内并与所述基极区域隔离；

栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜至少形成在从所述第1发射极/源极区域观察位于所述集电极区域一侧的部分的所述基极区域上；

栅极电极，该栅极电极形成在所述栅极绝缘膜上；

集电极/漏极电极，该集电极/漏极电极形成在所述半导体基板上，而且与所述集电极区域及所述漏极区域电连接；和

发射极/源极电极，该发射极/源极电极形成在所述半导体基板上，而且与所述基极区域及所述第1发射极/源极区域的双方电连接，

在所述基极区域内，还形成有第2发射极/源极区域，该第2发射极/源极区域通过所述检出电阻与所述第1发射极/源极区域电连接，而且与所述电流检出单元电连接；

在所述第2发射极/源极区域上不形成所述发射极/源极电极，而在与所述第2发射极/源极区域邻接的部分的所述基极区域上，形成所述发射极/源极电极。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体基板，是第2导电型；

在所述半导体基板内，进而形成与所述基极区域邻接的第1导电型的漂移区域；

所述第1发射极/源极区域及所述第2发射极/源极区域，与所述漂移区域隔离设置；

所述集电极区域及所述漏极区域，设置在所述漂移区域内。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述集电极区域及所述漏极区域，分别由分离的多个部分构成；

在垂直于从所述集电极区域朝着所述第1发射极/源极区域的方向的方向上，所述集电极区域的各部分与所述漏极区域的各部分，交替配置并接触。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第2发射极/源极区域与所述集电极区域，隔着所述基极区域的一部分相对配置。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第2发射极/源极区域与所述漏极区域，隔着所述基极区域的一部分相对配置。