[发明专利]Ag系溅射靶及Ag系薄膜无效

专利信息
申请号: 200810161076.7 申请日: 2008-09-26
公开(公告)号: CN101445913A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 松崎均 申请(专利权)人: 株式会社钢臂功科研
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/14
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 刘 建
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: ag 溅射 薄膜
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种有利于通过溅射法形成Ag系薄膜的Ag系溅射靶、 及采用上述Ag系溅射靶得到的Ag系薄膜,具体涉及一种可形成面内均 匀性非常优良的Ag系薄膜的Ag系溅射靶。

背景技术

由纯Ag或Ag合金等形成的Ag系薄膜,因反射率或透射率高、消光 系数低等而光学特性优良,因导热率高而热特性优良,因电阻率低而电特 性优良,并且还具有优良的表面平滑性。因此,Ag系薄膜,例如,广泛 应用于光信息记录介质(光盘)的反射膜、半透射反射膜、热扩散膜;平 板显示器的反射膜、反射电极膜、布线膜;热线反射/遮断窗玻璃等的 Low—E(低放射率)膜;电磁波屏蔽的遮蔽膜;汽车前灯或照明器具的 反射膜;光学部件或发光二极管的反射膜或反射电极膜等。尤其,由于 Ag系薄膜对于下一代光盘所用的蓝紫色激光也具有很高的反射率,并具 有追记型/改写型光盘所要求的高导热率,所以也适用于这些用途。

上述的Ag系薄膜,优选通过溅射法对由纯Ag或Ag合金构成的溅射 靶(Ag系溅射靶)进行溅射而形成。所谓溅射法,是在抽真空后导入了 氩气(Ar)的溅射腔室内,在衬底和溅射靶(以后有时称为“靶”)之间 形成等离子放电,使通过该等离子放电被离子化的Ar冲撞靶,打出该靶 的原子,使其堆积在衬底上,由此制作薄膜的方法。用溅射法形成的薄膜 与用离子镀法或真空蒸镀法、电子束蒸镀法形成的薄膜相比,膜面方向(膜 面内)的成分组成、膜厚等的面内均匀性优良。此外,溅射法与真空蒸镀 法不同,具有能够形成成分组成与靶相同的薄膜的优点。

为了形成如此高品质的薄膜,要求靶的晶粒在溅射面方向(溅射面内) 尽量均匀微细化。采用在溅射面内存在粗大晶粒的靶得到的薄膜,由于膜 面内的成分组成、膜厚等的偏差大,而导致反射率等特性产生偏差,使作 为反射膜等的特性显著下降。

作为谋求靶晶粒的微细化的技术,例如,可列举出专利文献1~专利 文献5的Ag系溅射靶。这些Ag系溅射靶都用熔铸法制造。此外,从这 些专利的实施例可知,在专利文献1中平均晶粒直径最小为30μm、在专 利文献2中平均晶粒直径最小为15μm、在专利文献3中平均晶粒直径最 小为15.6μm、在专利文献4中平均晶粒直径最小为42μm、在专利文献5 中平均晶粒直径最小为20μm。

专利文献1:日本特开2004—43868号公报

专利文献2:日本特开2004—84065号公报

专利文献3:日本特开2005—36291号公报

专利文献4:日本特开2005—314717号公报

专利文献5:日本特开2005—330549号公报

如上所述,Ag系薄膜可用于多种用途,不过,在用于这一代或下一 代的光盘的半透射反射膜、热线反射/遮断窗玻璃的Low—E膜、电磁波 屏蔽的遮蔽膜那样膜厚约为20~200(=2nm~20nm)的非常薄的极薄 薄膜的用途的情况下,对膜面内的成分组成或膜厚的面内均匀性的要求更 加苛刻。这是因为对于膜厚的极微小的变化,反射率或透射率等光学特性 (薄膜特性)会敏锐地变化。

因此,为了也能适合用于上述极薄薄膜的用途,一直以来迫切希望提 供面内均匀性非常优良的Ag系薄膜。作为具体的目标基准,相对于目标 膜厚200,要求在±4的范围内,也就是说,要求膜厚分布的均匀性(膜 厚的面内均匀性)优良,相对于目标膜厚在±2%的范围内。但是,在所述 专利文献1~5所记载的溅射靶中,靶的平均晶粒直径都超过15μm,无法 满足上述要求特性。

发明内容

本发明是鉴于以上的事实而做出的,其目的在于提供一种有利于形成 面内均匀性非常优良的薄膜的Ag系溅射靶及采用该Ag系溅射靶的Ag系 薄膜。

为了实现上述目的,本发明的Ag系溅射靶,其特征在于,在通过下 述步骤(1)~(3)测定由纯Ag或Ag合金构成的Ag系溅射靶的溅射面 的平均晶粒直径dave时,所述平均晶粒直径dave在10μm以下,

步骤(1):在与溅射面平行的面的面内任意选择多个部位,拍摄所选 择的各部位的显微镜照片(倍率:40~2000倍);

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