[发明专利]图案形成方法，有机场效应晶体管的制造方法，以及柔性印刷电路板的制造方法

权利要求书

1.一种图案形成方法，其中在用于施涂半导体涂布液体的喷嘴被设置于基片的下侧上且润湿性被控制的基片表面面朝下的情况下，所述喷嘴和所述基片相对移动，以便将所述半导体涂布液体施涂于所述基片的期望区域，此后使所述半导体涂布液体干燥以获得干燥的涂布层，

其中，所述基片具备凹凸结构，它具有作为所述期望区域的凹入部分和凸出部分，从而控制所述基片的表面的润湿性，以及

所述半导体涂布液体被施涂于所述凹入部分。

2.如权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，满足θ＜θ’的关系，其中θ是所述基片的所述期望区域和所述半导体涂布液体之间的接触角，而θ’是所述期望区域之外的所述基片的其它区域和所述半导体涂布液体之间的接触角。

3.一种制造有机场效应晶体管的方法，包括以下步骤：

(A)在基片上形成栅电极；

(B)此后在整个表面上形成栅极绝缘层；

(C)随后在所述栅极绝缘层上形成源/漏电极；以及

(D)此后在所述源/漏电极和所述源/漏电极之间的一部分所述栅极绝缘层上形成沟道形成区，其中

在所述步骤(D)中，在用于施涂有机半导体材料涂布液体的喷嘴被设置于基片下侧且其上具备所述栅极绝缘层和所述源/漏电极并且润湿性被控制的基片表面面朝下的情况下所述喷嘴和所述基片相对移动，从而将所述有机半导体材料涂布液体施涂于所述源/漏电极和所述源/漏电极之间的那部分所述栅极绝缘层上，此后使所述有机半导体材料涂布液体干燥，从而获得包含有机半导体材料的沟道形成区。

4.一种制造有机场效应晶体管的方法，包括以下步骤：

(A)在基片上形成栅电极；

(B)此后在整个表面上形成栅极绝缘层；

(C)随后在所述栅极绝缘层上形成沟道形成区和沟道形成区扩展部分；以及

(D)此后在所述沟道形成区扩展部分上形成源/漏电极，其中

在所述步骤(C)中，在用于施涂有机半导体材料涂布液体的喷嘴被设置于所述基片的下侧且其上具备所述栅极绝缘层并且润湿性被控制的基片表面面朝下的情况下，所述喷嘴和所述基片相对移动，以便将所述有机半导体材料涂布液体施涂于所述栅极绝缘层上，此后使所述有机半导体材料涂布液体干燥，从而获得包含有机半导体材料的所述沟道形成区和所述沟道形成区扩展部分。

5.一种制造有机场效应晶体管的方法，包括以下步骤：

(A)在基片上形成源/漏电极，

(B)此后将沟道形成区形成于所述源/漏电极和所述源/漏电极之间的一部分所述基片上；

(C)随后在整个表面上形成栅极绝缘层；以及

(D)此后在所述栅极绝缘层上形成栅电极，其中

在所述步骤(B)中，在其上具备所述源/漏电极并且润湿性被控制的基片表面面朝下的情况下，用于施涂有机半导体材料涂布液体的喷嘴和所述基片相对移动，以便将所述有机半导体材料涂布液体施涂于所述源/漏电极和所述源/漏电极之间的一部分所述基片上，此后使所述有机半导体材料涂布液体干燥，从而获得包含有机半导体材料的所述沟道形成区。

6.一种制造有机场效应晶体管的方法，包括以下步骤：

(A)在基片上形成沟道形成区和沟道形成区扩展部分，

(B)此后在所述沟道形成区扩展部分上形成源/漏电极，

(C)随后在整个表面上形成栅极绝缘层，以及

(D)此后在所述栅极绝缘层上形成栅电极，其中

在所述步骤(A)中，在用于施涂有机半导体材料涂布液体的喷嘴被设置于所述基片的下侧并且润湿性被控制的基片表面面朝下的情况下，所述喷嘴和所述基片相对移动，以便将所述有机半导体材料涂布液体施涂于所述基片上，此后使所述有机半导体材料涂布液体干燥，从而获得包含有机半导体材料的所述沟道形成区和所述沟道形成区扩展部分。