[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管 阵列基板的制作方法包括：

提供一基板，所述基板上具有一显示区、一栅极驱动区以及一源极驱动 区；

形成一非晶硅层于所述基板上；

通过一激光L照射所述非晶硅层膜，以形成一多晶硅层，其中所述多晶 硅层中具有多个主晶界以及多个次晶界，且位于所述显示区以及所述栅极驱 动区的多晶硅层的晶粒尺寸不同于位于所述源极驱动区的多晶硅层的晶粒尺 寸；

图案化所述多晶硅层以形成多个多晶硅岛，其中位于所述显示区以及所 述栅极驱动区的所述这些多晶硅岛构成多个第一多晶硅岛，位于所述源极驱 动区的所述这些多晶硅岛构成多个第二多晶硅岛；

分别于各所述第一多晶硅岛中与各所述第二多晶硅岛中定义出一源极 区、一漏极区以及一位于所述源极区以及漏极区之间的沟道区，其中各所述 第一多晶硅岛的主晶界仅位于各所述第一多晶硅岛的源极区及/或漏极区内； 以及

形成多个栅极于所述基板上，以对应于所述这些沟道区；

其中，通过所述激光L照射所述非晶硅层以形成所述多晶硅层的方法包 括：提供一激光，所述激光具有一宽度为W的光束区；令所述激光照射所述 非晶硅层，以使所述非晶硅层的一部份熔融；使所述激光相对于所述非晶硅 层移动一距离D1，其中D1<0.5W，并令所述激光照射所述非晶硅层；以及使 所述激光相对于所述非晶硅层移动一距离D2，其中D2≧0.5W，并令所述激 光照射所述非晶硅层；

通过所述激光L照射所述非晶硅层膜而形成所述多晶硅层的步骤中，于 所述源极驱动区中所形成的所述多晶硅层中的所述主晶界及/或次晶界仅位于 所述这些第二多晶硅岛的所述这些源极区或所述这些漏极区内。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 定义出所述这些源极区、所述这些漏极区以及所述这些沟道区的方法包括经 由一离子掺杂工艺。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 各所述第二多晶硅岛的晶粒尺寸为沿其沟道方向上的长度距离。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 所述这些第二多晶硅岛中的晶粒尺寸实质上大于所述这些第一多晶硅岛中的 晶粒尺寸。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 所述这些第二多晶硅岛中的晶粒尺寸实质上小于所述这些第一多晶硅岛中的 晶粒尺寸。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 通过所述激光L照射所述非晶硅层膜而形成所述多晶硅层的步骤中，于所述 显示区与所述栅极驱动区中的不同区域所形成的所述多晶硅层的晶粒尺寸为 多种。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 所述显示区以及所述栅极驱动区包括一第一区域以及一第二区域，其中形成 于所述第一区域中的所述这些第一多晶硅岛具有一第一晶粒尺寸，形成于所 述第二区域中的所述这些第一多晶硅岛具有一第二晶粒尺寸，且所述第一晶 粒尺寸不同于所述第二晶粒尺寸。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 使所述激光相对于所述非晶硅层移动所述距离D1并照射所述激光的步骤为 多次。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 所述薄膜晶体管阵列基板的制作方法更包括形成多个源极以及多个漏极，所 述这些源极分别与所述这些多晶硅岛的源极区电连接，所述这些漏极分别与 所述这些多晶硅岛的漏极区电连接。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 所述薄膜晶体管阵列基板的制作方法更形成一介电层以覆盖栅绝缘层以及所 述这些栅极，其中所述栅绝缘层配置于所述栅极与所述多晶硅岛之间，所述 介电层具有多个开口，所述这些源极与所述这些漏极分别经由所述这些开口 而与对应的所述源极区与所述漏极区电连接。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于， 所述薄膜晶体管阵列基板的制作方法更包括形成多个像素电极，分别与所述 这些漏极电连接。