[发明专利]发光二极管芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作发光二极管芯片封装结构的方法，其包含有：

提供封装基板，并于该封装基板的上表面形成多个凹陷的固晶区；

于该封装基板的该上表面形成下图案化导线层，其中该下图案化导线层 包含多个第一下图案化导线层与多个第二下图案化导线层；

提供多个发光二极管芯片，各该发光二极管芯片包含发光层、第一导电 型式掺杂半导体层设于该发光层的下表面，以及第二导电型式掺杂半导体层 设于该发光层的上表面；

将各该发光二极管芯片分别固晶于各该固晶区内，并使各该发光二极管 芯片的该第一导电型式掺杂半导体层分别与该下图案化导线层的各该第一 下图案化导线层电性连接；

于该封装基板、该下图案化导线层与所述发光二极管芯片上形成平坦结 构，并于该平坦结构中形成多个接触洞，其中所述接触洞曝露出各该发光二 极管芯片的部分该第二导电型式掺杂半导体层以及该下图案化导线层的各 该第二下图案化导线层；以及

于该平坦结构上形成上图案化导线层，并将该上图案化导线层填入所述 接触洞，由此使该下图案化导线层的各该第二下图案化导线层通过该上图案 化导线层与各该发光二极管芯片的该第二导电型式掺杂半导体层电性连接。

2.如权利要求1所述的方法，其中该封装基板包含半导体基板。

3.如权利要求1所述的方法，另包含有于该封装基板的该上表面形成该 下图案化导线层之前，先于该封装基板中形成多个贯穿孔，并通过所述贯穿 孔将该下图案化导线层的电性连接至该封装基板的下表面。

4.如权利要求3所述的方法，其中于该封装基板中形成所述贯穿孔的步 骤包含：

于该封装基板的该上表面形成多个上贯穿孔；以及

于该封装基板的该下表面形成多个下贯穿孔，其中所述上贯穿孔与所述 下贯穿孔互相对应形成所述贯穿孔。

5.如权利要求4所述的方法，其中通过所述贯穿孔将该下图案化导线层 的电性连接至该封装基板的该下表面的步骤包含：

于该封装基板的该下表面形成背面图案化导线层，并使该背面图案化导 线层填入所述下贯穿孔；以及

将该下图案化导线层填入所述上贯穿孔，并与该背面图案化导线层电性 连接。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述上贯穿孔是利用各向异性湿式蚀 刻工艺形成。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述固晶区与所述上贯穿孔是利用相 同的该各向异性湿式蚀刻工艺形成。

8.如权利要求4所述的方法，其中所述下贯穿孔是利用各向异性湿式蚀 刻工艺形成。

9.如权利要求1所述的方法，其中该固晶区的深度与该发光二极管芯片 的厚度约略相等。

10.如权利要求1所述的方法，其中该平坦结构包含感光性材料层。

11.如权利要求1所述的方法，其中该上图案化导线层包含多个网状电 极图案分别对应各该固晶区。

12.如权利要求1所述的方法，其中形成该上图案化导线层的步骤另包 含利用该上图案化导线层将固晶区的该发光二极管芯片的该第二导电型式 掺杂半导体层电性连接至另一固晶区的该第一下图案化导线层，由此使该两 发光二极管芯片以串联方式电性连接。

13.如权利要求1所述的方法，其中形成该上图案化导线层的步骤另包 含利用该上图案化导线层将固晶区的该发光二极管芯片的该第二导电型式 掺杂半导体层电性连接至另一固晶区的该第二下图案化导线层，由此使该两 发光二极管芯片以并联方式电性连接。