[发明专利]基板清洁装置及方法、基板处理装置及方法以及存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及一种去除附着于圆形状基板例如半导体晶圆的背面侧周缘部上的附着物的技术。

背景技术

在半导体制造装置中，有利用等离子对半导体晶圆(以下称为晶圆)进行蚀刻的装置、及利用成膜气体进行成膜处理的装置。为防止出现周缘的欠缺、破裂而对晶圆实施斜角(bevel)加工，在该种装置中进行加工时，因气体蔓延到晶圆的周缘部的斜角部的背面侧而使反应生成物附着于其上。在例如使用等离子的蚀刻装置中，为了调整等离子的状态，以接近晶圆的周缘来围绕晶圆的方式配置聚焦环，因而形成使晶圆的周缘部从载置台稍微伸出的结构。因此，由蚀刻气体与被蚀刻部位进行反应而生成的、浮游于环境中的反应生成物也会附着于晶圆的斜角部的背面侧上。另外，在成膜装置中，大多情况下将整个晶圆载置于载置台上，但因为斜角部与载置面相分离，因此膜附着于该部位。

由于附着于晶圆的斜角部上的附着物容易从斜角部的外端、内端的折曲部位剥离，因此容易成为对晶圆产生微粒污染的主要原因，结果成为使成品率下降的一个原因。另外，不仅发生于真空处理装置中，即使将光致抗蚀剂涂布于晶圆的表面上时，涂布液也会蔓延到斜角部的背面侧，因而会产生同样的问题。进而，还不仅发生在具有斜角部的晶圆上，而且在例如曝光时上使用的掩膜用的呈圆形状的玻璃基板上形成掩膜图案的工序中也存在同样的问题。

作为去除这样附着物的方法，已知有例如向基板供给清洁液、采用湿方式对基板进行清洁的技术，但要将该技术应用于上述那样的真空处理装置中是比较困难的。另外，溶剂的设备要花费费用，还需要排液装置，这样会增大运行成本。为此，研究了采用干方式去除附着物的技术。

在专利文献1中，记载了通过将反应性气体提供给基板的周缘部，并且对该周缘部加热、通过化学方法去除附着物的技术，但在这样的方法中，需要根据附着物的组成来选择反应性气体的种类，另外，附着物的反应性非常小时，不能进行去除附着物。

为此，将物理方法与这样的化学方法组合起来进行附着物的去除。即，已知如下的方法：例如使旋转刷与基板的周缘部相接触，在使该旋转刷旋转的同时使基板旋转，由此将附着物扫落。但是，在这样的方法中，需要局部排气单元以用来吸走利用刷子使其从基板上飘扬起来的附着物，另外，即使进行那样的局部排气也不能完全使附着物排出，因而存在自基板的背面去除的附着物又附着到基板表面上的可能。另外，需要频繁地去除附着于刷子上的附着物这样的维护。而且，在这样的刷子中，只对作为想去除附着物的部位的基板的侧面、斜角部或基板的背面周缘部接触是非常困难的，刷子与基板的表面接触时，可能会使设备受损伤，而使成品率下降。

在专利文献2中，记载有通过使粘着薄膜与基板的背面或斜角部接触来去除附着于基板上的微粒的技术，但在这样的方法中，粘着薄膜的使用量变大，会使运行成本变高，另外在去除附着于斜角部上的微粒时，未与斜角部接触便被废弃的粘着薄膜的量变大，从经济性、环境方面考虑不好。

专利文献1：日本特开2006-287169(段落0052～0055)

专利文献2：日本特开2002-83795(段落0060～0063，图7、图8)

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而开发出的，其目的在于提供一种能够可靠且简便地去除附着于圆形状基板的背面周缘部上的附着物的技术。

本发明的基板清洁装置是对圆形状基板的背面侧周缘部进行清洁的装置，其特征在于，该基板清洁装置包括：

自由旋转的基板保持部，其用于对上述基板的比背面侧周缘部更靠近中心部的部分进行吸附保持，且能以该基板的中心作为旋转中心进行旋转；

第1清洁用旋转体，其一边与上述基板的背面侧周缘部相接触，一边与该基板一起旋转，且其外周面构成为粘着面；

驱动部，其用于对上述基板保持部和第1清洁用旋转体当中的至少一者进行旋转驱动；

第2清洁用旋转体，其一边与上述第1清洁用旋转体的外周面相接触，一边进行旋转，且其外周面构成为具有比上述第1清洁用旋转体的外周面的粘着力强的粘着力的粘着面。

上述基板清洁装置设置有用于分别对上述基板保持部和第1清洁用旋转体进行旋转驱动的基板用驱动部和旋转体用驱动部，

优选将由基板用驱动部驱动的基板的转速和由旋转体用驱动部驱动的第1清洁用旋转体的转速设定为不使基板与第1清洁用旋转体发生相互滑动那样的转速。

优选使上述第1清洁用旋转体的旋转轴沿着以俯视时的上述基板保持部的旋转中心作为中心的圆的直径或其延长线延伸。