[发明专利]一种对羟基磷灰石进行荧光标记的方法无效
| 申请号： | 200810162190.1 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101419140A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡玉荣;姚菊明;李恭楚;王秀华 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N21/64;A61B5/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 羟基 磷灰石 进行 荧光 标记 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种对羟基磷灰石进行荧光标记的方法，其特征在于：配制重量百分比为1.5～3％的重碳酸钠缓冲溶液，将异硫氰酸荧光素溶解在该缓冲溶液中，控制异硫氰酸荧光素在缓冲溶液中的浓度为0.02～0.1克每升；再将羟基磷灰石颗粒分散在上述溶液中，颗粒浓度为0.5～1.5克每升，搅拌0.5～2小时；利用羟基磷灰石的强吸附作用将异硫氰酸荧光素吸附到颗粒表面，再将该悬浊液避光环境保存在1～8℃下继续作用10～20小时后，通过离心、透析和过滤作用除去颗粒表面未吸附的荧光素；将标记好的羟基磷灰石颗粒在35～45℃避光环境中真空干燥，得到干燥的荧光标记的羟基磷灰石颗粒。
2.根据权利要求1所述一种对羟基磷灰石进行荧光标记的方法，其特征在于：所述荧光标记的羟基磷灰石颗粒在温度为110～125℃，压力为104-108kPa，灭菌15～20min。
3.根据权利要求1所述一种对羟基磷灰石进行荧光标记的方法，其特征在于：所述荧光标记的羟基磷灰石的最大吸收波长为490纳米，最大发射波长为503纳米。
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