[发明专利]超宽截止区的短波通截止滤光片无效
| 申请号： | 200810162742.9 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101424759A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 顾培夫;艾曼灵;张梅骄;陈海星;金波;唐晋发 | 申请（专利权）人： | 杭州科汀光学技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;G02B5/22;G02B5/28 |
| 代理公司： | 杭州中平专利事务所有限公司 | 代理人： | 翟中平 |
| 地址： | 311100浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 截止 短波 滤光 | ||
1、一种超宽截止区的短波通截止滤光片，它包括基底，其特征是：位于基底上的半导体透明导电膜和多层氧化物膜交替的多层膜叠加构成。
2、根据权利要求1所述的超宽截止区的短波通截止滤光片，其特征是：氧化物膜由高折射率的TiO2膜和低折射率的SiO2膜组成。
3、根据权利要求1所述的超宽截止区的短波通截止滤光片，其特征是：所述的半导体透明导电膜为ITO，即掺锡氧化铟。
4、根据权利要求3所述的超宽截止区的短波通截止滤光片，其特征是：半导体透明导电膜ITO中至少有一层较厚的膜层。
5、根据权利要求1或2所述的超宽截止区的短波通截止滤光片，其特征是：所述的氧化物材料为TiO2和SiO2，其中高折射率的TiO2膜被置于半导体透明导电膜之间，而低折射率的SiO2膜被置于外层，两边最外面分别是基底和空气。
6、根据权利要求1所述的超宽截止区的短波通截止滤光片，其特征在于：通过选取各层膜的厚度，可以实现超宽截止区的短波通截止滤光片。
7、根据权利要求1所述的超宽截止区的短波通截止滤光片，其特征是：所述的基底材料可以用玻璃和塑料等可见区和近红外区透明的材料，入射媒质为空气。
8、根据权利要求1所述的超宽截止区的短波通截止滤光片，其特征是：光线在空气中以0°至45°的角度入射时，可以在波长400-800nm的光谱区实现高透射，而波长大于1000nm的光谱区直至远红外为截止区，截止宽度达10μm以上。
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