[发明专利]利用微纳光纤进行直写光刻的方法

权利要求书

1.一种利用微纳光纤进行直写光刻的方法，微纳光纤直写光刻的装置包括He-Ge激光器、电子快门、光纤耦合装置、蓝光单模光纤、微纳光纤固定装置、基片、六维电控工作台、第一显微镜、第二显微镜和计算机。其特征在于，包括以下步骤：

(1)将蓝光单模光纤的一端制备形成微纳光纤。

(2)在基片上涂敷一层光刻胶。

(3)将涂敷了一层光刻胶的基片固定在六维电控工作台上，通过双显微镜观察法使微纳光纤与基片对准。

(4)给蓝光单模光纤通光，控制放置基片的六维电控工作台移动，使微纳光纤在基片上曝光出所需要的图形；

(5)显影、定影、后烘。

2.根据权利要求1所述的利用微纳光纤进行直写光刻的方法，其特征在于，所述步骤(1)包括热熔拉伸和湿法刻蚀两个步骤。

3.根据权利要求2所述的利用微纳光纤进行直写光刻的方法，其特征在于，所述热熔拉伸具体为：将蓝光单模光纤一端剥去保护层，然后用酒精清洁干净，将其置于酒精灯火焰的外焰加热，在其熔化的过程中，手工拉伸光纤两端直至拉断。

4.根据权利要求2所述的利用微纳光纤进行直写光刻的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀具体为：取氢氟酸，氟化氨和去离子水，按照质量配比氢氟酸∶氟化氨∶去离子水＝3∶6∶9配制氢氟酸溶液，将配制好的氢氟酸溶液滴在塑料基片上形成氢氟酸液滴；将塑料基片放置在显微镜物镜下，将经过热熔拉伸的蓝光单模光纤从侧面缓慢插入氢氟酸液滴中刻蚀。通过显微镜观察刻蚀过程，待蓝光单模光纤被刻蚀到直径为400～600纳米时取出，用去离子水洗净，得到微纳光纤。

5.根据权利要求1所述的利用微纳光纤进行直写光刻的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述光刻胶的厚度为100～500纳米。