[发明专利]用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置

权利要求书

1.一种用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置，包括带中央套管(8)的锥形导向器(9)和支撑在锥形导向器(9)顶面的上层结构(11)，其特征在于：所述的上层结构(11)包括罩于中央套管(8)顶部开口的内套筒组，同轴设置在内套筒组外围的外套筒组和用于密封内套筒组及外套筒组顶部的顶板(1)，内套筒组底沿带有若干个支脚(15)，支脚(15)支撑在锥形导向器(9)的顶面，相邻支脚(15)之间形成排料通道(16)。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的内套筒组由若干个同轴布置、相互嵌套的内套筒(12a、12b)构成，所有内套筒(12a、12b)底沿均带有若干个支脚(15)。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于：所述的内套筒(12a、12b)为圆柱形套筒。

4.如权利要求2或3所述的装置，其特征在于：所述的支脚(15)均匀分布在内套筒(12a、12b)底沿，支脚(15)的截面形状为三角形或梯形，三角形一顶点或梯形上底朝向内套筒(12a、12b)轴心。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的锥形导向器(9)顶面带有用于容纳支脚(15)的支口，支口形状与支脚(15)截面形状相配合。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的外套筒组由若干个同轴布置、相互嵌套的外套筒(13a、13b)构成。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于：所述的外套筒(13a、13b)悬挂在顶板(1)底面。

8.如权利要求6或7所述的装置，其特征在于：所述的外套筒(13a、13b)的截面形状为八边形或圆形。