[发明专利]一种用于减轻KTP晶体灰迹效应的装置及方法

权利要求书

1.一种用于减轻KTP晶体灰迹效应的装置，其特征在于，它主要由在同一光轴上依次放置的第一透镜、第二透镜和KTP晶体组成。其中，所述第一透镜和第二透镜组成望远镜系统，第一透镜和第二透镜的焦距分别为f₁＝30～500mm、f₂＝15～500mm。第一透镜1和第二透镜2之间的距离为d₁＝f₁+f₂＝45～1000mm。

2.一种应用权利要求1所述装置来减轻KTP晶体灰迹效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)选择某一望远镜系统会聚比(f₁/f₂)，使入射激光束经过望远镜系统后产生会聚，由远及近地将KTP晶体向激光束的会聚点靠近，直到产生灰迹效应为止，记录下整个过程中不产生灰迹效应的最高的绿光输出功率和倍频转换效率。

2)如果在步骤1中始终未产生灰迹效应，则增加望远镜系统的会聚比，将入射激光束进一步会聚，重复步骤1，记录下整个过程中不产生灰迹效应的最高的绿光输出功率和倍频转换效率。

3)如果在步骤1中过早产生灰迹效应导致倍频转换效率较低，则可以增加或者减小望远镜系统的会聚比，重复步骤1，记录下整个过程中不产生灰迹效应的最高的绿光输出功率和倍频转换效率。

4)重复步骤2、3，直至在不产生灰迹效应的条件下获得最高的绿光输出功率和倍频转换效率。