[发明专利]一种分立器件正面金属的生产方法

权利要求书

1.一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于包括如下工艺步骤：

1)已经长好器件的硅片(1)进行表面处理后，清洗、甩干；

2)经步骤1)的硅片(1)在溅射台中溅射钛钨合金(7)和镍钒合金(6)，真空值控制在2.0×10^-6Torr以下；

3)将溅射好的硅片(1)再进行表面处理，清洗、甩干；

4)经步骤3)的硅片(1)置于蒸发台中，采用热蒸发工艺，在镍钒合金(6)表面蒸发设置一层厚度为的银(5)。

2.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于步骤1)中所述的已经长好器件的硅片(1)是指硅片(1)上的氧化层(4)、保护环(3)和结势垒(2)都已经长好。

3.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于步骤1)和步骤3)中所述的表面处理是指将已经长好器件的硅片(1)在NH₄F和HF的混合溶液中浸泡15～25秒钟，混合溶液中NH₄F∶HF的重量比为8～12∶1，其总重量浓度为35～45％，NH₄F和HF的混合溶液的温度控制在18～22℃。

4.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于步骤1)和步骤3)中所述的清洗是指将硅片(1)置于去离子水槽中溢流8～12分钟，去离子水的温度控制在18～22℃。

5.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于所述的钛钨合金(7)中钛钨的重量比Ti∶W为1∶10，溅射厚度为

6.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于所述的镍钒合金(6)中镍钒的重量比Ni∶V为93∶7，溅射厚度为

7.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于步骤4)中所述的热蒸发工艺是指先将蒸发台腔体抽真空至真空度达到5.0×10^-6Torr以下，开始加热，直至130～170℃时停止加热，加热期间，抽真空不可中断，待加热结束并且真空度达到2.0×10^-6Torr以下，开始蒸发的银(5)。

8.根据权利要求1所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于步骤3)硅片甩干和步骤4)银的蒸发设置间隔时间不超过2小时。

9.根据权利要求7所述的一种分立器件正面金属的生产方法，其特征在于蒸发台腔体的加热温度为145～155℃。