[发明专利]用于浸渍光刻系统的清洁溶液和使用其的浸渍光刻方法

权利要求书

1.一种用于浸渍光刻系统的清洁溶液，其包含：

基于醚的溶剂；

基于醇的溶剂；和

半水基溶剂。

2.权利要求1的清洁溶液，其中该基于醚的溶剂选自二乙醚、乙二醇二 乙醚、乙二醇丁基醚、二甘醇丁基醚、丙二醇醚、及其组合。

3.权利要求1的清洁溶液，其中该基于醚的溶剂构成基于该清洁溶液总 重量的约5-40重量％。

4.权利要求1的清洁溶液，其中该基于醇的溶剂构成基于该清洁溶液总 重量的约1-50重量％。

5.权利要求1的清洁溶液，其中该基于醇的溶剂包括烷氧基醇、二醇、 或其组合。

6.权利要求5的清洁溶液，其中该烷氧基醇选自2-甲氧基乙醇、2-乙氧 基乙醇、2-丁氧基乙醇、2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇、 2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇、及其组合。

7.权利要求5的清洁溶液，其中该二醇选自1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、 邻苯二酚、及其组合。

8.权利要求5的清洁溶液，其中该基于醇的溶剂包括烷氧基醇和二醇的 组合，该烷氧基醇和二醇各自构成基于该基于醇的溶剂总重量的至多50重 量％。

9.权利要求1的清洁溶液，其中该半水基溶剂选自二醇醚、N-甲基吡 咯烷酮、甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙腈、二甲基乙酰胺、d-柠檬烯、萜 烯、及其组合。

10.权利要求1的清洁溶液，其中该半水基溶剂构成基于该清洁溶液总 重量的约20-80重量％。

11.权利要求1的清洁溶液，其进一步包含：

碱性水溶液。

12.权利要求11的清洁溶液，其中该碱性水溶液包含去离子水和碱性溶 液，该碱性溶液构成基于该碱性水溶液总重量的至多约2重量％。

13.权利要求11的清洁溶液，其中该碱性水溶液构成基于该清洁溶液总 重量的约30-70重量％。

14.权利要求12的清洁溶液，其中该碱性溶液选自氢氧化钠、氢氧化钾、 氢氧化铵、氢氧化烷基铵、及其组合。

15.权利要求1的清洁溶液，其进一步包含：

腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂构成基于该清洁溶液总重量的至多约1重量 ％。

16.权利要求15的清洁溶液，其中该腐蚀抑制剂选自磷酸盐、硅酸盐、 亚硝酸盐、胺盐、硼酸盐、有机酸盐、及其组合。

17.一种浸渍光刻方法，其包括：

向浸渍光刻系统提供浸渍流体，该浸渍光刻系统具有一个或多个涂覆有 光刻胶膜的晶片；

将在该一个或多个晶片上的光刻胶膜暴露于光源；

除去该浸渍流体；和

用清洁溶液清洁该光刻系统被该浸渍流体接触的区域，该清洁溶液包含 基于醚的溶剂、基于醇的溶剂和半水基溶剂。

18.权利要求17的浸渍光刻方法，其中该清洁包括

将该清洁溶液供给到该区域预定的时间以从该区域去除缺陷；和

用去离子水漂洗该区域。

19.权利要求18的浸渍光刻方法，其进一步包括：

测定在该区域上的缺陷的数量以计算用于供给该清洁溶液的该预定的 时间。

20.权利要求18的浸渍光刻方法，其中该预定的时间是基于在该浸渍光 刻系统中曝光的晶片数量计算的。