[发明专利]形成半导体器件的布线层的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的布线层的方法，所述方法包括：

形成具有第一厚度的第一层间绝缘层，所述第一厚度与将要在支撑层上形成的层间绝缘层的厚度的一部分相对应；

在所述第一层间绝缘层中形成第一接触塞；

在所述第一接触塞和所述第一层间绝缘层上形成具有第二厚度的第二层间绝缘层，从而形成所述层间绝缘层，其中所述第二厚度与所述层间绝缘层的厚度的其余部分相对应；

在所述第二层间绝缘层中形成连接到所述第一接触塞的第二接触塞，从而形成包括所述第一接触塞和所述第二接触塞的局部布线层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一厚度是所述层间绝缘层的厚度的一半或小于一半。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述支撑层是硅衬底或掺有杂质的多晶硅层之一。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述支撑层是硅衬底，所述方法还包括：

在所述硅衬底上形成多个栅图案；以及

形成所述第一接触塞以便接触在所述栅图案之间的所述硅衬底。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第一厚度大于每个所述栅图案的厚度。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述支撑层是硅衬底，所述方法还包括：

在所述硅衬底上形成多个栅图案；以及

形成覆盖所述栅图案的蚀刻终止层。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述支撑层是硅衬底，所述方法还包括：

在所述硅衬底上形成多个栅图案；以及

形成所述第一接触塞以便接触每个所述栅图案的上部和在所述栅图案之间的所述硅衬底。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一接触塞的所述形成包括：在所述第一层间绝缘层中形成暴露所述支撑层的接触孔；以及用第一金属层填充所述接触孔并平坦化所述第一金属层；以及

所述第二接触塞的所述形成包括：在所述第二层间绝缘层中形成暴露所述接触孔的通孔；以及通过采用单金属镶嵌工艺，用第二金属层填充所述通孔并平坦化所述第二金属层。

9.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二接触塞和所述第二层间绝缘层上形成布线绝缘层；

在所述布线绝缘层中形成连接到所述第二接触塞的布线层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述布线层的所述形成包括：

在所述布线绝缘层中形成暴露所述第二接触塞的沟槽；以及通过采用单金属镶嵌工艺，用第三金属层填充所述沟槽并平坦化所述第三金属层。

11.如权利要求9所述的方法，还包括：

在所述布线绝缘层和所述第二层间绝缘层中形成在其上暴露所述第一接触塞的暴露孔；以及

通过采用双金属镶嵌工艺在所述暴露孔中填充金属层，从而形成包括所述第一接触塞和连接到所述第一接触塞的所述第二接触塞的局部布线层并同时形成连接到所述第二接触塞的布线层。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述第一接触塞的所述形成包括：在所述第一层间绝缘层中形成暴露所述支撑层的接触孔；在所述接触孔的内壁上形成另外的绝缘层以便减小所述接触孔的直径；以及在形成有所述另外的绝缘层的所述接触孔中填充金属层。

13.一种形成半导体器件的布线层的方法，该方法包括：

形成具有第一厚度的第一层间绝缘层，所述第一厚度对应于将要在支撑层上形成的层间绝缘层的厚度的一部分；

在所述第一层间绝缘层中形成第一接触塞；

在所述第一接触塞和所述第一层间绝缘层上形成具有第二厚度的第二层间绝缘层，其中所述第二厚度对应于所述层间绝缘层的厚度的其余部分；

通过采用单金属镶嵌工艺在所述第二层间绝缘层中形成连接到所述第一接触塞的第二接触塞，从而形成包括所述第一接触塞和所述第二接触塞的局部布线层；

在所述第二接触塞和所述第二层间绝缘层上形成布线绝缘层；以及

通过采用单金属镶嵌工艺在所述布线绝缘层中形成连接到所述第二接触塞的布线层。