[发明专利]注入设备的效能决定方法

权利要求书

1、一种注入设备的效能决定方法，包含下列步骤：

形成杂质阻障层于基板上；

形成标靶层于该杂质阻障层上；

使用注入设备进行注入工艺以将杂质注入该标靶层；

量测该标靶层的至少一电气特性；以及

考量该电气特性以便决定该注入设备效能。

2、根据权利要求1的注入设备的效能决定方法，其中该杂质阻障层包含氮化硅。

3、根据权利要求1的注入设备的效能决定方法，其中该标靶层包含多晶硅。

4、根据权利要求1的注入设备的效能决定方法，其在量测该标靶层的至少一电气特性之前，另包含进行热处理工艺。

5、根据权利要求4的注入设备的效能决定方法，其中该热处理工艺为快速热处理工艺。

6、根据权利要求1的注入设备的效能决定方法，其中该电气特性为片电阻。

7、根据权利要求1的注入设备的效能决定方法，其另包含进行蚀刻工艺以去除该基板上的杂质阻障层及标靶层。

8、根据权利要求7的注入设备的效能决定方法，其中该蚀刻工艺为湿蚀刻工艺。

9、根据权利要求8的注入设备的效能决定方法，其中该湿蚀刻工艺使用包含磷酸的蚀刻液。

10、根据权利要求7的注入设备的效能决定方法，其另包含重复上述步骤预定次数，该注入工艺的注入剂量不同，且决定该注入设备效能为考量不同注入剂量下的电气特性。

11、根据权利要求10的注入设备的效能决定方法，其另包含使用最小平方法关联量测的电气特性。