[发明专利]制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法无效
| 申请号： | 200810165838.0 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101434047A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | K·勒特格;W·艾格纳;M·田端 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24D11/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 夏 青 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 具有 抛光 边缘 半导体 晶片 方法 | ||
1、一种用于制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法，包括：
抛光所述半导体晶片的至少一侧；以及
对经抛光的半导体晶片的边缘进行抛光；
其中，在抛光剂的参与下利用含有固定磨料的抛光布对所述边缘进行抛光。
2、根据权利要求1所述的方法，其中，所述抛光剂含有游离磨料。
3、根据权利要求1或2所述的方法，其中，抛光所述半导体晶片的至少一侧包括双侧抛光。
4、根据权利要求3所述的方法，其中，抛光所述半导体晶片的至少一侧包括所述双侧抛光和其后执行的单侧抛光。
5、根据权利要求4所述的方法，包括进一步抛光所述边缘，其中，在含有游离磨料的浆体的参与下，利用不含固定磨料的抛光布对所述经抛光的半导体晶片的被抛光边缘进行抛光。
6、根据权利要求5所述的方法，其中，根据权利要求1的所述抛光布中的所述固定磨料具有1000—2000个网格。
7、根据权利要求1所述的方法，其中，所述抛光布中的所述固定磨料具有的网格不少于4000个。
8、根据权利要求4所述的方法，包括在抛光所述边缘之后执行所述单侧抛光。
9、根据权利要求5或6所述的方法，包括在进一步抛光所述边缘之后执行所述单侧抛光。
10、根据权利要求4所述的方法，包括在抛光所述边缘之前执行所述单侧抛光。
11、根据权利要求5或6所述的方法，包括在抛光所述边缘之前执行所述单侧抛光，并且在抛光所述边缘之后对所述边缘进行进一步抛光。
12、根据权利要求1至11中任意一项所述的方法，包括在具有抛光的边缘的所述半导体晶片的抛光侧上沉积外延层。
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