[发明专利]晶片水平测量功率MOS门器件栅电阻的改进校准法

权利要求书

1.一种半导体晶片，其特征在于，包括：

位于其上的多个金属氧化物半导体场效应晶体管芯片，其中，所述半导体晶片还进一步包括一个建有电阻器-电容器RC网络的测试结构；

所述电阻器是一种金属电阻器；

所述电容器是一种沟槽电容器。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，所述多个金属氧化物半导体场效应晶体管芯片和所述测试结构可用探针板接触。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，所述电阻器-电容器RC网络的电阻和电容的数值范围与所述金属氧化物半导体场效应晶体管芯片的栅电阻Rg和电容的数值范围相同。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，所述测试结构的设计基本与所述金属氧化物半导体场效应晶体管芯片的设计相同。

5.根据权利要求2所述的半导体晶片，其特征在于，该半导体晶片进一步包括：

一组与探针板连接的接触点，以便首先进行所述晶片水平半导体器件测量校准、随后对所述半导体芯片进行栅电阻Rg测量；

所述的探针板包括一组探针针和一个窗口，通过所述窗口可以暴露探针针；

所述探针针的设计布局与邻近进行半导体功率器件校准测量的多个半导体功率器件的多个接触点的布局相同。

6.一种校准金属氧化物半导体场效应晶体管栅电阻测量的方法，其特征在于，包括：

在半导体晶片上的测试区中构建一个电阻器-电容器RC网络，所述半导体晶片邻近位于所述半导体晶片之上的多个金属氧化物半导体场效应晶体管芯片。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

测量所述电阻器-电容器RC网络的电阻和电容，以便进行晶片水平金属氧化物半导体场效应晶体管测量校准。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

将探针板与所述半导体晶片上的所述电阻器-电容器RC网络连接，以便进行所述晶片水平金属氧化物半导体场效应晶体管测量校准。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

将探针板与所述金属氧化物半导体场效应晶体管芯片连接，以便在晶片水平进行所述栅电阻测量。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述构建所述电阻器-电容器RC网络的步骤进一步包括生成所述电阻器-电容器RC网络的电阻和电容，使其数值范围与所述金属氧化物半导体场效应晶体管芯片的栅电阻Rg和电容的数值范围相同。