[发明专利]光电变换装置及其制造方法和摄像系统

权利要求书

1.一种形成在第一导电型的半导体基板中的光电变换装置，具有 光电变换元件，所述光电变换元件备有：第一导电型的杂质区域和导 电型与第一导电型相反的多个第二导电型的杂质区域，其特征在于：

上述多个第二导电型的杂质区域配置在上述第一导电型的杂质 区域的下面，

上述多个第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、配置在 该第1杂质区域与上述第一导电型的杂质区域之间的第2杂质区域和 配置在该第2杂质区域与上述第一导电型的杂质区域之间的第3杂质 区域，

上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区 域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的 浓度C3满足下列关系：

C2＜C3＜C1。

2.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于：

上述光电变换元件还备有：

与上述第一导电型的杂质区域的基板表面侧连接所形成的第二 导电型的第4杂质区域。

3.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于：

其中，3×C2≤C1。

4.根据权利要求3所述的光电变换装置，其特征在于：

其中，5×C2≤C1。

5.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于：

将其他第一导电型的杂质区域配置在上述第1、第2、第3杂质 区域间的至少1个中，该其他第一导电型的杂质区域由内部电位进行 耗尽化。

6.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于：

其中，1×10¹⁶cm^-3＜C1＜1×10¹⁸cm^-3，1×10¹⁵cm^-3＜C2＜5×10¹⁶cm^-3， 2×10¹⁵cm^-3＜C3＜2×10¹⁷cm^-3。

7.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于：

连续地配设上述多个第二导电型的杂质区域，直到与上述光电变 换元件邻接的元件分离区域下部。

8.根据权利要求7所述的光电变换装置，其特征在于：

上述光电变换元件还具有：与上述第一导电型的杂质区域连接所 形成的第二导电型的第四杂质区域。

9.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于：

上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3在 3×10¹⁵＜C3＜2×10¹⁷cm^-3的范围内。

10.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于：

上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2满足C2＜C1＜4×C2 的关系。

11.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于：

上述第一导电型的杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C4在 3×10¹⁶＜C4＜8×10¹⁷cm^-3的范围内，上述第3杂质区域的杂质浓度峰值 的浓度C3满足3×10¹⁵cm^-3＜C3＜C4的关系。

12.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于：

上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3和上述第一导电型 的杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C4满足C4/4＜C3＜C4的关系。

13.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于：

上述多个第二导电型的杂质区域没有配置在配置在象素内的晶 体管和读取区域的至少一部分的下面。