[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，该装置包括：

一衬底；

一漏极区，位于所述衬底中，其中所述漏极区为一封闭环状以在所述衬底中定义一封闭区域；

一栅极结构，位于所述封闭区域上，其中所述栅极结构具有一第一侧边及相对于所述第一侧边的一第二侧边；

一第一源极区，位于邻近所述栅极结构第一侧边的封闭区域中；以及

一隔离结构，位于所述第一源极区及所述漏极区之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该装置还包括一第二源极区，位于邻近所述栅极结构第二侧边的封闭区域中。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述隔离结构位于所述第二源极区及所述漏极区之间。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极结构为一条状，且所述两个源极区位于邻近所述栅极结构两侧边的封闭区域中。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极结构为一封闭环状，且所述第一源极区位于所述栅极结构所围绕的封闭区域中。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述封闭环状的栅极结构为圆形、椭圆形、矩形、多边形、规则或不规则形状。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极结构包括：

一栅介电层，位于所述封闭区域上；

一栅电极层，位于所述栅介电层上；以及

一间隔层，位于所述栅电极层的侧壁上。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述装置还包括轻掺杂区，位于所述间隔层下方的封闭区域中且邻接所述第一源极区。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述封闭环状的漏极区为圆形、椭圆形、矩形、多边形、规则或不规则形状。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述装置还包括由多个所述漏极区所构成的格状结构。

11.一种半导体装置，其特征在于，该装置包括：

一衬底；

多个漏极区，位于所述衬底中，其中所述多个漏极区构成一格状结构以在所述衬底中定义多个封闭区域；

一栅极结构，位于所述封闭区域上，其中所述栅极结构具有一第一侧边及相对于所述第一侧边的一第二侧边；

一第一源极区，位于邻近所述栅极结构第一侧边的封闭区域中；以及

一隔离结构，位于所述第一源极区及所述漏极区之间。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述装置还包括一第二源极区，位于邻近所述栅极结构第二侧边的封闭区域中。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述隔离结构位于所述第二源极区及所述漏极区之间。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极结构为一条状，且所述两个源极区位于邻近所述栅极结构两侧边的封闭区域中。

15.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极结构为一封闭环状，且所述第一源极区位于所述栅极结构所围绕的封闭区域中。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，所述封闭环状的栅极结构为圆形、椭圆形、矩形、多边形、规则或不规则形状。

17.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极结构包括：

一栅介电层，位于所述封闭区域上；

一栅电极层，位于所述栅介电层上；以及

一间隔层，位于所述栅电极层的侧壁上。

18.如权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，所述装置还包括轻掺杂区，位于所述间隔层下方的封闭区域中且邻接所述第一源极区。