[发明专利]元件晶片和元件晶片的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及元件晶片和元件晶片的制造方法。

背景技术

历来，例如，如以下各专利文献所示，已知有用于在半导体晶片上 形成半导体元件的各种制造方法。

专利文献1：日本专利申请公开平2-30132号公报

专利文献2：日本专利申请公开2005-217320号公报

专利文献3：日本专利申请公开2005-123263号公报

专利文献4：日本专利申请公开平7-45560号公报

专利文献5：日本专利申请公开平6-45315号公报

专利文献6：日本专利申请公开2005-72538号公报

专利文献7：国际公开WO2002-103808号小册子

在半导体晶片上垒积材料、膜厚相异的多个膜，通过对该多个膜进 行加工，形成具备例如加速度传感器等具有可动部的微小的结构体的元 件。本申请的发明者发现，当如上述那样在半导体晶片上垒积多个膜时， 存在因膜所具有的应力而在膜中发生裂隙的担忧。当该裂隙在半导体晶 片的面内发展时，用于形成元件的区域的膜(或形成的元件自身)会受 到损伤。

此外，近年来，在半导体晶片上形成例如加速度传感器等元件后， 不进行切割，而是将该晶片直接进行买卖的交易(这种交易也被称为“卖 晶片”)也开始进行。因此，优选在制造设置有元件的半导体晶片(以 下，也称为“元件晶片”)的过程中，对于上述裂隙实施对策。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种元件晶 片的制造方法，该方法对于设置在半导体晶片上的膜的形成元件的部位 能够抑制裂隙的损害。

此外，本发明的目的在于提供一种元件晶片，对于半导体晶片上的 元件能够抑制裂隙的损害。

第一发明为元件晶片的制造方法，其特征在于，具有：

准备半导体晶片的工序；

在上述半导体晶片上层叠多个膜，通过与该多个膜的层叠并行地对 该多个膜进行加工，从而在上述半导体晶片上的中央区域形成元件的工 序；以及

在上述多个膜的至少一个上，设置对形成上述半导体晶片上的上述 元件的区域进行包围的凹部，或/和设置在该区域的周围排列并包围该区 域的多个开口的工序。

第二发明为元件晶片的制造方法，其特征在于，具有：

准备半导体晶片的工序；

在上述半导体晶片上层叠多个膜，通过与该多个膜的层叠并行地对 该多个膜进行加工，从而在上述半导体晶片上的规定的区域中以在该半 导体晶片的面方向上排列的方式形成多个元件的工序；以及

在上述多个膜中的除了位于最上的膜以外的至少一个膜上，形成以 隔开上述多个元件的方式延伸的凹部的工序。

此外，本发明的第三发明是一种元件晶片，其特征在于，具备：

半导体晶片；

在上述半导体晶片上层叠的一个以上的膜；以及

在上述一个以上的膜上的上述半导体晶片的中央区域上设置的一 个以上的元件，

在上述半导体晶片的外周侧的区域中垒积有包含上述一个以上的 膜的多个膜，

在上述半导体晶片的外周侧的上述多个膜中的至少一个上，设置有 包围上述中央区域的凹部，或/和设置有在该中央区域的周围排列并包围 该区域的多个开口。

此外，本发明的第四发明是一种元件晶片，其特征在于，具备：

半导体晶片；

在上述半导体晶片上层叠的一个以上的绝缘膜；

在上述一个以上的绝缘膜的上述半导体晶片的中央区域上设置的 多个布线；以及

分别设置在上述多个布线上并且分别与该布线连接的多个薄膜结 构体，

在上述一个以上的绝缘膜上，设置有以隔开上述多个薄膜结构体的 方式延伸的凹部。

此外，本发明的第五发明是一种元件晶片，其特征在于，具备：

半导体晶片；

在上述半导体晶片上层叠的一个以上的绝缘膜；

在上述一个以上的绝缘膜的上述半导体晶片的中央区域上设置的 多个布线；

在上述一个以上的绝缘膜和上述多个布线上重叠设置并且具备各 自露出该布线的多个开口的牺牲膜；以及