[发明专利]液晶显示装置及其制造方法和驱动方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置，包括：

一绝缘衬底；

一硅层，形成于衬底上，并且包括一掺杂的源极区、一掺杂的漏极区、位于源极区和漏极区之间的未掺杂的沟道区；

一栅极绝缘膜，覆盖硅层；

一栅电极，形成于栅极绝缘膜上并且位于沟道区对面；

第一存储电极，形成于栅极绝缘膜上；

一存储电容器的第一层间绝缘膜，覆盖第一存储电极；

第二存储电极，形成于第一层间绝缘膜上；和

一像素电极，它电连接到漏极区上，并且与第二存储电极相接触，

其中对第一层间绝缘膜和第二存储电极制作图案，使它们具有第一存储电极的形状。

2.根据权利要求1的液晶显示装置，还包括：第二层间绝缘膜，它覆盖栅电极、第二存储电极和栅极绝缘膜；和一源电极以及一漏电极，它们通过形成于层间绝缘膜和栅极绝缘膜中的第一接触孔和第二接触孔分别接至源极区和漏极区。

3.根据权利要求2的液晶显示装置，还包括：一钝化膜，它覆盖源电极和漏电极，其中该钝化膜和第二层间绝缘膜具有露出漏电极的第三接触孔和露出第二存储电极的一个通孔，像素电极通过第三接触孔接至漏电极，而通过通孔接至第二存储电极。

4.根据权利要求3的液晶显示装置，其中把第二存储电极制成一个双叠层结构或者一个多层结构，双叠层结构或者多层结构的最上层具有比钝化膜和层间绝缘膜更低的蚀刻率。

5.根据权利要求4的液晶显示装置，其中最上层由Mo、Cr或Nd制成。

6.根据权利要求5的液晶显示装置，其中源电极和漏电极由Ti或TiN制成。

7.根据权利要求1的液晶显示装置，其中第一层间绝缘膜的厚度是

8.根据权利要求7的液晶显示装置，其中第一层间绝缘膜具有一个双 叠层结构，它包括一SiO₂膜和一SiNx膜。

9.根据权利要求7的液晶显示装置，其中第一层间绝缘膜具有一个三叠层结构，它包括一SiO₂膜、一SiNx膜和一SiO₂膜。

10.根据权利要求2的液晶显示装置，其中栅电极和第一存储电极包括一个Al制成的下层和一个Ti制成的上层。

11.一种液晶显示装置的制造方法，包括以下步骤：

在一绝缘衬底上形成一硅层；

形成一栅极绝缘膜，它覆盖硅层；

按顺序淀积一选通导线的第一金属膜、第一层间绝缘膜和一存储电容器的第二金属膜；

对第一金属膜、第一层间绝缘膜和第二金属膜同时制作图案，以形成包括第一电极、第一层间绝缘膜图案和第二电极以及一栅电极的存储电容器，第一层间绝缘膜图案形成于第一电极上，第二电极形成于第一层间绝缘膜图案上；

通过用栅电极作为掩模将离子注入硅层中来形成一掺杂的源极区和一掺杂的漏极区；以及

形成电连接到存储电容器和漏极区上的像素电极。

12.根据权利要求11的液晶显示装置的制造方法，还包括以下步骤：

淀积第二层间绝缘膜，它覆盖栅电极和存储电容器；

蚀刻第二层间绝缘膜，以形成露出源极区和漏极区的接触孔；

形成一源电极和一漏电极，它们通过上述接触孔接至源极区和漏极区；

淀积一钝化膜，它覆盖源电极和漏电极；以及

蚀刻一钝化膜，以露出漏电极。

13.根据权利要求12的液晶显示装置的制造方法，其中第二层间绝缘膜由具有与钝化膜相同蚀刻率的材料制成。

14.根据权利要求13的液晶显示装置的制造方法，其中在蚀刻钝化膜的步骤中，蚀刻第二电极对面的第二层间绝缘膜。

15.根据权利要求14的液晶显示装置的制造方法，其中将第二金属膜制成多叠层结构，该多叠层结构最上层的蚀刻率比第二层间绝缘膜和钝化膜的蚀刻率低。