[发明专利]液晶显示设备及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810166572.1 申请日: 2008-10-17
公开(公告)号: CN101414085A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 郭喜荣 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G03F7/42;G03F7/26;G03F7/00;H01L21/84;H01L27/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 设备 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种液晶显示设备的制造方法,该方法包括:

在基板上形成选通线、栅极、位于所述选通线的端部的栅焊盘电极、以及公共线;

在所述栅极上形成栅绝缘层;

在所述栅绝缘层上形成有源层;

在所述有源层上形成蚀刻阻止层,所述蚀刻阻止层露出所述有源层的两侧;

在所述蚀刻阻止层、所述有源层和所述栅绝缘层上形成彼此隔开的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层,并且形成与下面的所述栅绝缘层接触的掺杂非晶硅图案,所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层分别与所述蚀刻阻止层的两侧交叠且覆盖所述有源层的露出部分;

形成与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线、位于所述数据线的端部的数据焊盘电极、以及分别位于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层上的源极和漏极;

在所述像素区域中形成像素电极和公共电极以感应共面电场;以及

在所述栅焊盘电极上形成栅焊盘端子电极,

其中所述掺杂非晶硅图案形成在所述数据线、像素电极和公共电极之下,并具有与所述数据线、像素电极和公共电极相同的平面形状,所述数据线、像素电极和公共电极与其下面的所述掺杂非晶硅图案接触。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述像素电极、公共电极、栅焊盘端子电极、数据焊盘电极的至少其中之一具有至少一层,且其中所述数据线、源极和漏极具有所述至少一层和位于所述至少一层上的另一层。

3.根据权利要求2所述的方法,其中形成所述有源层和所述蚀刻阻止层的步骤包括:

顺序沉积本征非晶硅层、绝缘层和第一光刻胶层;

使用包括透射部分、第一半透射部分、第二半透射部分、以及阻挡部分的掩模对所述第一光刻胶层进行曝光;

对所述第一光刻胶层进行显影以形成分别对应于所述阻挡部分、第一半透射部分、第二半透射部分的第一至第三光刻胶部分,其中所述第一光刻胶部分比所述第二光刻胶部分厚,且所述第二光刻胶部分比所述第三光刻胶部分厚,且其中所述第一光刻胶层的对应于所述透射部分的部分被去除;

使用显影后的第一光刻胶层对所述绝缘层、所述本征非晶硅层和所述栅绝缘层进行第一蚀刻,以形成露出所述公共线的公共接触孔和露出所述栅焊盘电极的栅焊盘接触孔;

对显影后的第一光刻胶层进行第一灰化以去除所述第三光刻胶部分;

使用所述第一灰化的第一光刻胶层对所述第一蚀刻后的绝缘层和本征非晶硅层进行第二蚀刻,以形成所述第一灰化的第一光刻胶部分和所述第一灰化的第二光刻胶部分下面的有源层;

对所述第一灰化的第一光刻胶层进行第二灰化以去除所述第一灰化的第二光刻胶部分;

使用所述第二灰化的第一光刻胶层对所述第二蚀刻的绝缘层进行第三蚀刻,以形成所述第二灰化的第一光刻胶部分下面的蚀刻阻止层;以及

去除所述第二灰化的第一光刻胶部分,

其中所述公共电极通过所述公共接触孔电连接到所述公共线,且所述栅焊盘端子电极通过所述栅焊盘接触孔电连接到所述栅焊盘电极。

4.根据权利要求2所述的方法,其中形成所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、掺杂非晶硅图案、源极、漏极、数据线、像素电极、公共电极、栅焊盘端子电极、以及数据焊盘电极的步骤包括:

顺序沉积掺杂非晶硅层、至少两个金属层、以及第二光刻胶层;

使用包括透射部分、半透射部分和阻挡部分的掩模对所述第二光刻胶层进行曝光;

对所述第二光刻胶层进行显影,以形成分别对应于所述阻挡部分和所述半透射部分的第四光刻胶部分和第五光刻胶部分,其中所述第四光刻胶部分比所述第五光刻胶部分厚,且其中所述第二光刻胶层的对应于所述透射部分的部分被去除;

使用显影后的第二光刻胶层对所述至少两个金属层和所述掺杂非晶硅层进行蚀刻,以形成所述第四光刻胶部分下面的源极、漏极和数据线,所述第五光刻胶部分下面的金属图案,所述源极和漏极下面的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层,以及所述数据线和所述金属图案下面的掺杂非晶硅图案;

对所述显影后的第二光刻胶层进行灰化以去除所述第五光刻胶部分;

使用所述灰化的第四光刻胶部分去除所述金属图案的顶层以形成所述像素电极、所述公共电极、所述栅焊盘端子电极和所述数据焊盘电极;以及

去除所述灰化的第四光刻胶部分;

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