[发明专利]C0G多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成物，包括化学式为 {[(CaO)_t(SrO)_1-t]m[(ZrO₂)_v(TiO₂)_1-v]}_1-s-xA_sE_x的合成物，其中：

A是选自Cu、Mn、Mo、W、Ta、Sc、Y、Hf、Nb及其组合中 的过渡金属的过渡金属氧化物；

E是从包括Ge、Si、Ga及其组合的组中选出的元素的氧化物；

m取0.98至1.02；

t取t＞0.5且≤0.9；

v取0.8至1.0；

s和x从包括a)x≤0.08，0.0001≤s≤0.043并且x＞1.86s；和b)0 ＜x≤0.0533，0.0001≤s≤0.08并且x＜0.667s的组中选择。

2.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，其中s和x被限定为x≤0.08，0.0001≤s≤0.043和x＞1.86s，并 且所述合成物具有超过4.5μm的层厚。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，其中s和x被限定为0＜x≤0.0533，0.0001≤s≤0.08和x＜0.667s， 并且所述合成物具有不超过4.5μm的层厚。

4.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，其中A是氧化锰。

5.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，其中A是MnO，E是SiO₂。

6.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，其中所述电介质陶瓷合成物在1200℃和1350℃之间的温度下进 行烧制。

7.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，其中所述电容器还包括贱金属作为内部电极材料。

8.如权利要求5所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，其中所述电容器还包括贱金属作为内部电极材料。

9.如权利要求8所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，其中从包括Ni或Cu及其组合的组中选择贱金属。

10.如权利要求9所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，其中所述电介质陶瓷合成物在还原性气氛中进行烧制。

11.如权利要求10所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，还包括从Ni和Cu组成的组中选择的金属电极。

12.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成 物，还具有≥-30ppm/℃且≤+30ppm/℃的电容温度系数。