[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

编程速度检测单元，用于测量全部存储单元的参考存储单元的第一编 程速度，以及用于当编程/擦除操作的数量对应于特定参考值时测量所述 参考存储单元的第二编程速度；

编程速度存储单元，用于存储所述第一编程速度；以及

编程电压控制器，用于通过比较存储在所述编程速度存储单元中的所 述第一编程速度和所述第二编程速度，来确定是否改变编程电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中所述编程速度检 测单元确定参考存储单元是否在特定验证电压以上全部进行了编程，以及 检测在相应时间点施加到相应单元的字线的编程电压。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中所述编程速度检 测单元确定所述参考存储单元是否都在特定验证电压以上进行了编程，并 且检测直到在相应时间点到达施加到相应单元的字线的编程电压时所施 加的编程脉冲的数量。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括编程/擦除周期 存储单元，其用于存储在非易失性存储装置操作时进行的编程/擦除操作 的总数。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括分布变化量决 定单元，其用于根据编程/擦除操作的数量存储阈值电压的分布的变化量。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括分布变化量决 定单元，其用于比较在第一编程/擦除周期的最高阈值电压值和在大于所 述第一编程/擦除周期的第二编程/擦除周期的最高阈值电压值，以及输出 分布的变化量。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中所述编程速度存 储单元永久存储第一编程后的编程速度。

8.一种非易失性存储装置的操作方法，包括：

对全部存储单元执行第一编程操作；

测量参考存储单元的第一编程速度；

将所述第一编程速度存储在编程速度存储单元中；

重复执行编程/擦除操作，直到编程/擦除操作的数量对应于特定参考 值；

当所述编程/擦除操作的数量对应于所述特定参考值时，测量所述参 考存储单元的第二编程速度；

计算所述第一编程速度和所述第二编程速度之间的差；

根据所计算的编程速度差重置编程起始电压；以及

基于重置的编程起始电压执行编程/擦除操作。

9.根据权利要求8所述的方法，其中编程速度的测量包括确定所述 参考存储单元是否在特定验证电压以上全部进行了编程，以及检测在相应 时间点施加到相应单元的字线的编程电压。

10.根据权利要求8所述的方法，其中编程速度的测量包括确定所述 参考存储单元是否都在特定验证电压以上进行了编程，并且检测直到在相 应时间点到达施加到相应单元的字线的编程电压时所施加的编程脉冲的 数量。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括在测量所述编程速度的差之 后将所述第二编程速度重置作为所述第一编程速度。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一编程速度和所述第二 编程速度之间的差的测量包括计算在第一参考值被测量作为第二编程速 度并且被重置作为第一编程速度的值和在大于第一参考值的第二参考值 测量的第二编程速度之间的差。

13.根据权利要求8所述的方法，其中重置编程起始电压包括当所述 第一编程速度和所述第二编程速度之间的差大于或等于步进电压时将编 程起始电压减小步进电压。

14.根据权利要求8所述的方法，其中重置编程起始电压包括：当所 述第一编程速度和所述第二编程速度之间的差小于步进电压时保持编程 起始电压。

15.根据权利要求8所述的方法，其中重置编程起始电压包括：当所 述第一编程速度和所述第二编程速度之间的差大于或等于施加的一个编 程脉冲时将编程起始电压减小步进电压。