[发明专利]形成LCD驱动IC的R串中的多晶硅图样的方法及其结构

说明书

本申请要求于2007年10月12日递交的第10-2007-0102999号韩国专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器(在下文中，称作LCD)的驱动单元，更具体地，本发明涉及一种形成多晶硅图样以防止块模糊现象(block dim phenomenon)的方法，该多晶硅图样能够使LCD驱动IC(LDI)中的电阻值的变化最小化。

背景技术

液晶显示器(LCD)根据图像信号控制液晶的光透射率(transmittance)以显示图像。LCD可以包括LCD面板(panel)、驱动电路单元和背光单元(back light unit)。LCDs可以被用作显示器件，诸如笔记本电脑、计算机监视器和诸如电视的各种家用电器(home appliances)。在LCD面板中，薄膜晶体管阵列和滤色器衬底(color filter substrate)以均匀的间距彼此隔离，在薄膜晶体管阵列和滤色器衬底之间注入液晶，并且将极化的平板(polarizingplates)连接到面板的两侧。将多路(multi-channel)输出LCD驱动集成电路(LDI)用作LCD面板的信号布线(signal wiring line)以便可以容易地提供信号。

如实例图1中所示，在LCD面板102上和/或上方形成多个LDI芯片100，这些LDI芯片负责屏幕不同的部分。可以将一些LDI芯片用在面板中。LDI芯片100具有R串(R-string)结构，在该R串结构中连接了多个电阻器，通过多个电阻器降低了电源电压(power source voltage)，并选择与数字图像信息的比特值相对应的电压施加给像素。

如实例图2中所示，在R串结构中，通过宽多晶硅图样200中的抗硅化物阻挡区(silicide-anti blocking area)(在下文中，称作SAB)图样202的尺寸来控制形成在多晶硅图样200上和/或上方的硅化物的区域以便控制电阻和输出电压。然而，在图样化处理中，图样的临界尺寸(critical dimension)(CD)的变化可能出现在曝光工艺(exposure process)中，这导致改变了电阻值。例如，在曝光工艺的过程中，如果形成在上部中的SAB图样202的CD变得比形成在下部中的SAB图样202的CD小，则减小了占据大部分电阻的非硅化物多晶硅区(un-silicide poly area)从而减小了电阻。因此，在SAB图样的尺寸彼此不同的LDI芯片中电阻的大小彼此不同。结果，在R串结构中产生了输出电压的差异以致LDI芯片的操作特性(operation characteristics)彼此不同。

发明内容

本发明的实施例涉及一种液晶显示器(LCD)的驱动单元，更具体地，本发明实施例涉及一种形成多晶硅图样以防止块模糊现象的方法，该多晶硅图样使LCD驱动IC(LDI)中的电阻值的变化最小化，在上述块模糊现象中，由于多晶硅图样尺寸的差异，根据电阻值的变化产生了灰度(gray level)的差异，在该多晶硅图样中，LDI芯片的R串结构中没有实施硅化物阻挡。

本发明的实施例涉及一种形成多晶硅图样的方法，在该多晶硅图样中，在LDI芯片的R串图样中作为电阻器操作(operate)的H形多晶硅图样包括在垂直方向上纵向形成的多晶硅区和用于将多晶硅区彼此连接的多晶硅线(poly line)，以便在R串图样及其结构中使电阻值的变化最小化。

本发明的实施例涉及一种形成用于使LCD面板驱动IC(LDI)的R串图样中的电阻值的变化最小化的多晶硅图样的方法，该方法可以包括至少如下步骤之一：在半导体衬底上和/或上方沉积用作R串结构中的电阻器的多晶硅层；通过曝光和蚀刻工艺将多晶硅层图样化成H形形状；在H形多晶硅层上形成用于硅化物阻挡(silicideblocking)的SAB图样层；以及然后，通过曝光和蚀刻工艺图样化SAB图样层以在H形多晶硅层上包括多晶硅线。

本发明的实施例涉及一种形成用于使LCD面板驱动IC(LDI)的R串图样中电阻值的变化最小化的多晶硅图样的方法，该方法可以包括至少如下步骤之一：在半导体衬底上方沉积用作R串结构中的电阻器的多晶硅层；形成具有互连的H形横截面的多晶硅层图样；在多晶硅层图样上方形成抗硅化物阻挡区(SAB)层并图样化该SAB层以从而在部分多晶硅层图样上方形成SAB层图样而暴露多晶硅层图样的其他部分；以及然后，在多晶硅层图样所暴露的部分的上方形成硅化物层。