[发明专利]一种制备无裂氮化物半导体衬底的方法无效
| 申请号： | 200810167620.9 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373709A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 徐永宽;于祥潞;程红娟;杨巍;赖占平;严如岳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 肖伟先 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氮化物 半导体 衬底 方法 | ||
1.一种制备无裂氮化物半导体衬底的方法，其特征在于包括如下步骤:
步骤1、采用HVPE法，并通过控制工艺条件在异质衬底上生长一层具有坑状表面的氮化物；
步骤2、在所述具有坑状表面的氮化物层上加入插入层，该插入层为过渡金属或其合金；
步骤3、对带有所述插入层的氮化物外延片进行高温退火处理；
步骤4、采用HVPE法，并通过控制工艺条件在经过所述退火处理的插入层上继续生长一层具有光滑表面的氮化物；
步骤5、进行相应后续处理，从而得到氮化物半导体衬底。
2.根据权利要求1所述的制备无裂氮化物半导体衬底的方法，其特征在于:
步骤1所述具有坑状表面的氮化物层厚度为2μm～100μm。
3.根据权利要求1所述的制备无裂氮化物半导体衬底的方法，其特征在于:
步骤2所述加入插入层的操作是将所述具有坑状表面的氮化物层从HVPE反应器中取出，而在该HVPE反应器之外进行的。
4.根据权利要求3所述的制备无裂氮化物半导体衬底的方法，其特征在于:
所述加入插入层的方法为磁控溅射法。
5.根据权利要求3或4所述的制备无裂氮化物半导体衬底的方法，其特征在于:
所述插入层材料为金属钛。
6.根据权利要求1或3所述的制备无裂氮化物半导体衬底的方法，其特征在于:
步骤3所述退火处理是在HVPE反应器中进行的。
7.根据权利要求1或2所述的制备无裂氮化物半导体衬底的方法，其特征在于:
步骤4所述具有光滑表面的氮化物层厚度至少为200μm。
8.根据权利要求1或3所述的制备无裂氮化物半导体衬底的方法，其特征在于:
步骤5所述后续处理为在所述具有光滑表面的氮化物层生长结束后降温。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
