[发明专利]基材处理设备以及使用该基材处理设备处理基材的方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求2007年11月5日提交的韩国专利申请No.10-2007-0112251的优先权，在此引入该韩国专利申请的全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种用于制造半导体基材的设备，更具体而言，涉及一种提供用于处理半导体基材的化学品溶液的化学品溶液处理设备，还涉及一种用于清洁半导体基材的方法。

背景技术

通常，通过反复地沉积、蚀刻和清洁处理来制造半导体器件。具体而言，使用各种化学品溶液对半导体基材进行湿蚀刻和清洁处理。

当使用异丙醇干燥半导体基材时，用于喷射异丙醇的化学品溶液喷嘴和用于喷射氮气的气体喷嘴分别设置在半导体基材的上部之上。通过分别从化学品溶液喷嘴和气体喷嘴喷出的异丙醇和氮气来干燥半导体基材。然而，由于化学品溶液喷嘴和气体喷嘴是独立设置的，且异丙醇和氮气从各自喷嘴直线地喷向半导体基材，因此异丙醇和氮气不能很好地混合。因此，半导体基材的清洁效率降低。

发明内容

示例性实施例提供一种基材处理设备。所述基材处理设备包括支撑件和处理液供应部。基材固定地放置在所述支撑件上。所述处理液供应部设置在所述支撑件的上方，并用于通过向置于所述支撑件上的所述基材喷射呈微粒状的处理液来干燥所述基材。所述处理液供应部包括第一供应喷嘴、第二供应喷嘴以及喷射嘴。所述第一供应喷嘴用于接收所述处理液。所述第二供应喷嘴用于接收处理气。所述喷射嘴用于通过控制所述处理气气同时喷出所述处理气和所述处理液而使所述处理液在所述处理气的作用下分解成微粒。所述喷射嘴包括从所述第一供应喷嘴注入所述处理液的化学品溶液流道和从所述第二供应喷嘴注入所述处理气并包围所述化学品溶液流道的气体流道。

示例性实施例提供一种处理基材的方法。所述方法如下。将基材固定地放置在支撑件上，将喷射嘴设置在所述支撑件的上部之上。所述喷射嘴向所述基材喷射微粒状的所述处理液，从而干燥所述基材。干燥所述基材的过程如下。将处理气注入包围所述化学品溶液流道的所述喷射嘴的气体流道，并将所述处理液注入所述喷射嘴的化学品溶液流道。控制注入所述气体流道内的所述处理气的气流而向向所述基材喷出所述处理气，并向所述基材喷出所述化学品溶液流道内的处理液而使所述处理液分解成微粒状。

附图说明

图1显示了根据本发明实施例的基材处理设备。

图2是图1中所示的处理液喷射部的立体图。

图3是图2中所示的喷射嘴的剖视图。

图4示出从图3中所示的喷射嘴喷射处理液的步骤。

图5是另一种类型的图2中所示处理液喷射部的剖视图。

图6和图7是图5中所示的第一喷嘴部的俯视平面图。

具体实施方式

下面参照显示本发明实施例的附图更详细地描述本发明。然而，本发明可以体现为多种不同形式，并且不应当认为本发明受限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本发明的公开内容彻底和完整，并向本领域技术人员全面地表达本发明的范围。在附图中，为清楚显示可以将各层和各区域的尺寸和相对尺寸放大。本文中，同样的附图标记指同样的部件。

图1显示了根据本发明实施例的基材处理设备。

参照图1，基材处理设备600包括处理容器100、基材支撑件200、垂直移动件310、转动马达320和处理液供应部400。

处理容器100包括呈圆柱状的第一收集盆、第二收集盆和第三收集盆。在本实施例中，处理容器100由三个收集盆110、120和130构成。然而，收集盆110、120和130的数量可以增加或减少。

在处理过程中，第一收集盆110、第二收集盆120和第三收集盆130收集向晶片10供应的处理液。即，基材处理设备600在基材支撑件200转动晶片10的同时使用处理液处理晶片10。因而，向晶片10供应的处理液散开，第一收集盆110、第二收集盆120和第三收集盆130收集从晶片10散落的处理液。

更具体而言，第一收集盆110、第二收集盆120和第三收集盆130均包括呈环状的底面和从底面延伸的圆柱形的侧壁。第二收集盆120包围第一收集盆110，并设置成与第一收集盆110分开。第三收集盆130包围第二收集盆120，并设置成与第二收集盆120分开。