[发明专利]被处理体的导入口机构和处理系统

说明书

相关申请的参考

本专利申请享受2007年10月3日提出的作为日本申请的特愿2007-259689的利益。引用这些在先申请的全部所示内容作为本说明书的一部分。

技术领域

本发明涉及将被处理体从以气密状态收纳有半导体晶片等被处理体的收纳容器体导入被处理体移载区域内的导入口机构和使用该机构的处理系统。

背景技术

通常，当制造IC或LSI等半导体集成电路时，对半导体晶片反复进行各种成膜处理，氧化扩散处理和蚀刻处理等。当进行各处理时必需在对应的装置间搬送半导体晶片。

在这种情况下，如已知那样，为了提高成品率，必需避免半导体晶片的表面上附着形成颗粒或自然氧化膜。因此，随着高集成化和高微细化的要求增大，具有在搬送晶片时使用能够容纳多块晶片并且内部密闭的收纳容器体的倾向。作为这种收纳容器体通常已知有FOUP(注册商标)(例如，日本特开平8-279546号公报、日本特开平9-306975号公报、日本特开平11-274267号公报)。

在这种收纳容器体内通常为了防止颗粒附着在收纳在其中的晶片表面上，而被形成为清洁度高的清洁空气的气氛。

但是，在处理所述收纳容器体的处理系统中，通常设置有利用搬送机构搬送上述收纳容器体的容器体搬送区域；和取出收纳容器体的开闭盖，为了热处理，从内部将半导体晶片移载至晶片舟等上的被处理体移载区域(例如，日本特开2003-37148号公报、日本特开2004-22674号公报、日本特开2005-79250号公报)。为了进行晶片的交换，利用具有可开闭的开口闸门的分隔壁，分隔两区域。为了防止自然氧化膜附着在晶片表面上，在裸露被处理体状态下进行搬送的上述被处理体移载区域内被形成为惰性气体例如氮气气氛。

然而，由晶片尺寸引起例如收纳25块300mm(12英寸)尺寸的晶片的收纳容器体的容量达到40～45升左右。因此，在使上述收纳容器体通过开口闸门向被处理移载区域开放的情况下，容器内部开放时，该收纳容器体内的清洁空气流入被形成为氮气气氛的被处理体移载区域内。结果，氮气气氛被大量的清洁空气稀释，使被处理体移载区域成为氮气气氛的优点受损害。

因此，例如如上述的日本特开平11-274267号公报、日本特开2004-22674号公报以及日本特开2005-79250号公公开的那样，设置惰性气体置换装置或在搬入舟上设置氮气喷嘴。由此，可在使上述收纳容器体朝向被处理体移载区域内开放之前，将氮气导入该收纳容器体内，用氮气来置换内部气氛。

[专利文献1]：日本特开平8-279546号公报

[专利文献2]：日本特开平9-306975号公报

[专利文献3]：日本特开平11-274267号公报

[专利文献4]：日本特开2003-37148号公报

[专利文献5]：日本特开平2004-22674号公报

[专利文献6]：日本特开平2005-79250号公报

然而，在上述的日本特开平11-274267号公报、日本特开2005-79250号公报所示的现有的结构中，导入的惰性气体从气体喷射孔等喷射出，直接与晶片本身碰撞。因此，由于喷射气体的冲力可能会将晶片吹飞，或者松动使位置偏移。为了防止这种情况，必须控制喷射气体的流速或流量，因此，惰性气体的置换作业变长，存在使生产率降低的问题，另外，由于导入的惰性气体可能会漏出至操作者的操作区域，因此希望更提高针对这种情况的安全性。

另外，在上述日本特开2004-22674号公报所示的现有的结构中。使从喷嘴喷射的N₂气体先与晶片以外的其他部分冲突，削弱其冲力后，导入晶片中，用N₂气体进行置换。然而，在这种情况下，由于N₂气从喷嘴的特定的喷射孔喷射，因此使喷射的N₂气体先与其他构件冲突，减弱N2气体的冲力，但其冲力仍较强，如所述那样，有可能使晶片松动引起位置偏移等。

发明内容

本发明是为了解决上述问题提出的，其目的是提供使内部收纳的被处理体不产生位置偏移等，可对收纳容器体内的气氛迅速而且平稳地进行惰性气体转换，提高生产率的被处理体的导入口机构和使用该机构的处理系统。