[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810168090.X | 申请日: | 2008-09-27 |
公开(公告)号: | CN101404289A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 朴东彬 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器,包括:
半导体衬底,其包括光电二极管;
金属布线层,其设置在所述半导体衬底上,所述金属布线层包括金属布线和层间电介质,其中所述金属布线和所述层间电介质在所述半导体衬底上交替层叠;
沟槽,其形成在所述层间电介质中,以与所述光电二极管相对应;以及
滤色镜,其形成在所述沟槽底部。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述金属布线层包括多个层。
3.如权利要求2所述的图像传感器,其中所述金属布线层包括第一金属互连层,位于所述第一金属互连层上的第二金属互连层,以及位于所述第二金属互连层上的第三金属互连层。
4.如权利要求3所述的图像传感器,其中所述沟槽延伸至所述第一金属互连层之下。
5.如权利要求3所述的图像传感器,其中所述滤色镜的顶部表面的高度低于所述第三金属互连层的高度。
6.如权利要求1所述的图像传感器,还包括位于所述滤色镜上的电介质,所述电介质用于填充所述沟槽。
7.如权利要求1所述的图像传感器,还包括设置在所述滤色镜之上的微透镜。
8.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述沟槽暴露与所述光电二极管相对应的所述半导体衬底。
9.一种图像传感器的制造方法,所述方法包括以下步骤:
在半导体衬底中形成光电二极管;
在所述半导体衬底上形成金属布线层,所述金属布线层包括金属布线和层间电介质,其中所述金属布线和所述层间电介质在所述半导体衬底上交替层叠;
在所述层间电介质中与所述光电二极管相对应的区域中形成沟槽;以及
在所述沟槽底部形成滤色镜。
10.如权利要求9所述的方法,其中所述金属布线层包括多个层。
11.如权利要求9所述的方法,其中形成所述沟槽包括以下步骤:
在所述金属布线上形成光致抗蚀剂图案,以暴露与所述光电二极管相对应的所述层间电介质;以及
通过采用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模,蚀刻所述层间电介质。
12.如权利要求11所述的方法,其中形成所述沟槽的底部以暴露所述半导体衬底。
13.如权利要求11所述的方法,其中形成所述沟槽的底部以暴露所述层间电介质的下层。
14.如权利要求9所述的方法,还包括在所述滤色镜上形成电介质,以填充所述沟槽。
15.如权利要求9所述的方法,还包括在所述滤色镜上形成微透镜。
16.如权利要求9所述的方法,还包括对所述沟槽执行热处理工艺,以减少由形成所述沟槽引起的对所述沟槽的表面的损害。
17.如权利要求9所述的方法,还包括对所述沟槽执行表面处理,为所述滤色镜提供疏水表面。
18.如权利要求17所述的方法,其中执行所述表面处理包括:
在所述沟槽中形成所述滤色镜之前,在所述沟槽的表面上涂覆有机材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的