[发明专利]图像传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810168090.X 申请日: 2008-09-27
公开(公告)号: CN101404289A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 朴东彬 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/822
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 郑小军;冯志云
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

半导体衬底,其包括光电二极管;

金属布线层,其设置在所述半导体衬底上,所述金属布线层包括金属布线和层间电介质,其中所述金属布线和所述层间电介质在所述半导体衬底上交替层叠;

沟槽,其形成在所述层间电介质中,以与所述光电二极管相对应;以及

滤色镜,其形成在所述沟槽底部。

2.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述金属布线层包括多个层。

3.如权利要求2所述的图像传感器,其中所述金属布线层包括第一金属互连层,位于所述第一金属互连层上的第二金属互连层,以及位于所述第二金属互连层上的第三金属互连层。

4.如权利要求3所述的图像传感器,其中所述沟槽延伸至所述第一金属互连层之下。

5.如权利要求3所述的图像传感器,其中所述滤色镜的顶部表面的高度低于所述第三金属互连层的高度。

6.如权利要求1所述的图像传感器,还包括位于所述滤色镜上的电介质,所述电介质用于填充所述沟槽。

7.如权利要求1所述的图像传感器,还包括设置在所述滤色镜之上的微透镜。

8.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述沟槽暴露与所述光电二极管相对应的所述半导体衬底。

9.一种图像传感器的制造方法,所述方法包括以下步骤:

在半导体衬底中形成光电二极管;

在所述半导体衬底上形成金属布线层,所述金属布线层包括金属布线和层间电介质,其中所述金属布线和所述层间电介质在所述半导体衬底上交替层叠;

在所述层间电介质中与所述光电二极管相对应的区域中形成沟槽;以及

在所述沟槽底部形成滤色镜。

10.如权利要求9所述的方法,其中所述金属布线层包括多个层。

11.如权利要求9所述的方法,其中形成所述沟槽包括以下步骤:

在所述金属布线上形成光致抗蚀剂图案,以暴露与所述光电二极管相对应的所述层间电介质;以及

通过采用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模,蚀刻所述层间电介质。

12.如权利要求11所述的方法,其中形成所述沟槽的底部以暴露所述半导体衬底。

13.如权利要求11所述的方法,其中形成所述沟槽的底部以暴露所述层间电介质的下层。

14.如权利要求9所述的方法,还包括在所述滤色镜上形成电介质,以填充所述沟槽。

15.如权利要求9所述的方法,还包括在所述滤色镜上形成微透镜。

16.如权利要求9所述的方法,还包括对所述沟槽执行热处理工艺,以减少由形成所述沟槽引起的对所述沟槽的表面的损害。

17.如权利要求9所述的方法,还包括对所述沟槽执行表面处理,为所述滤色镜提供疏水表面。

18.如权利要求17所述的方法,其中执行所述表面处理包括:

在所述沟槽中形成所述滤色镜之前,在所述沟槽的表面上涂覆有机材料。

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