[发明专利]光掩膜及光掩膜的制造方法、以及图案转印方法

权利要求书

1.一种光掩膜，是液晶显示装置用的多灰度光掩膜，其在透明基 板上，具有由遮光部分、透光部分、和将掩膜使用时所使用的曝光光的 透过量减低给定量的半透光部分构成的掩膜图案，使用掩膜对被转印体 照射曝光光时，根据部位的不同有选择地减低对被转印体的曝光光的照 射量，用于在被转印体上的光致抗蚀剂上，形成包含残膜值不同的部分 的所希望的转印图案，其中，

上述遮光部分，至少由遮光膜形成，

上述半透光部分，由至少透过曝光光的一部分的半透光膜形成，

并且，具有将电孤立的掩膜图案间相互连接的导电性图案，该导电 性图案由形成上述半透光部分的半透光膜形成，并且具有1～5μm的 线宽。

2.一种光掩膜，是液晶显示装置用的多灰度光掩膜，其在透明基板 上，具有由遮光部分、透光部分、和将掩膜使用时所使用的曝光光的透 过量减低给定量的半透光部分构成的掩膜图案，使用掩膜对被转印体照 射曝光光时，根据部位的不同有选择地减低对被转印体的曝光光的照射 量，用于在被转印体上的光致抗蚀剂上，形成包含残膜值不同的部分的 所希望的转印图案，其中，

上述透光部分，露出上述透明基板的表面而构成，

上述半透光部分，由形成在透明基板上、具有导电性且透过曝光光 的一部分的半透光膜构成，

上述遮光部分，在透明基板上由上述半透光膜和遮光膜依次形成而 构成，

并且，具有将电孤立的掩膜图案间相互连接的导电性图案，该导电 性图案由形成上述半透光部分的半透光膜形成，并且具有1～5μm的 线宽。

3.根据权利要求1或2所述的光掩膜，其特征在于，

上述导电性图案是半透光性，且其具有的线宽，使其不会在对上述 光掩膜照射曝光光，将掩膜图案转印到被转印体上，对被转印体上的抗 蚀剂进行显影，并形成抗蚀剂图案时，出现在该抗蚀剂图案中。

4.根据权利要求1或2所述的光掩膜，其特征在于，

上述导电性图案的部分，由曝光光的透过率为20％以上60％以下 的半透光膜形成。

5.根据权利要求1或2所述的光掩膜，其特征在于，

将连接掩膜图案间的上述导电性图案，设置多个。

6.一种液晶显示装置用的多灰度光掩膜的制造方法，使用在透明 基板上依次形成半透光膜和遮光膜而成的掩膜版，通过光刻法对上述半 透光膜和遮光膜分别进行所希望的图案形成，具有形成由遮光部分、透 光部分、和将掩膜使用时所使用的曝光光的透过量减低给定量的半透光 部分构成的掩膜图案的工序，其中，

在上述半透光膜的图案形成时，形成将电孤立的半透光膜图案相互 连接的、给定线宽的导电性图案，该导电性图案由形成上述半透光部分 的半透光膜形成，并且具有1～5μm的线宽。

7.一种图案转印方法，其特征在于，

使用权利要求1或2所述的光掩膜或者用权利要求6所述的制造方 法得到光掩膜，对被转印体照射曝光光，并在被转印体上形成所希望的 转印图案。