[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成包括半导体元件的元件形成层；

在所述元件形成层上提供包括塑料材料的支撑基材；

在所述剥离层和所述元件形成层之间，从所述剥离层和所述衬底分离所述元件形成层，或者在所述剥离层和所述衬底之间，从所述衬底分离所述元件形成层和所述剥离层；

用液体濡湿因分离步骤而露出的表面；以及

在分离步骤之后，将挠性衬底固定到所述元件形成层上。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述液体是纯水。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述元件形成层包括集成电路。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括将所述支撑基材从所述元件形成层分离的步骤。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过使用热可塑性树脂将所述挠性衬底固定到所述元件形成层上。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成包括半导体元件的元件形成层；

在所述元件形成层上提供包括塑料材料的支撑基材；

在所述剥离层内从所述衬底分离所述元件形成层；

用液体濡湿因分离步骤而露出的表面；以及

在分离步骤之后，将挠性衬底固定到所述元件形成层上。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述液体是纯水。

8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述元件形成层包括集成电路。

9.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括将所述支撑基材从所述元件形成层分离的步骤。

10.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中通过使用热可塑性树脂将所述挠性衬底固定到所述元件形成层上。

11.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成具有半导体元件的元件形成层；

在所述元件形成层上提供包括塑料材料的支撑基材；

在所述剥离层和所述元件形成层之间，从所述剥离层和所述衬底分离所述元件形成层，或者在所述剥离层和所述衬底之间，从所述衬底分离所述元件形成层和所述剥离层，同时用液体濡湿因剥离而露出的表面；以及

在分离步骤之后，将挠性衬底固定到所述元件形成层上。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中所述液体是纯水。

13.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中所述元件形成层包括集成电路。

14.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，还包括将所述支撑基材从所述元件形成层分离的步骤。

15.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中通过使用热可塑性树脂将所述挠性衬底固定到所述元件形成层上。

16.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成包括半导体元件的元件形成层；

在所述元件形成层上提供包括塑料材料的支撑基材；

在所述剥离层内从所述衬底分离所述元件形成层，同时用液体濡湿因剥离而露出的表面；以及

在分离步骤之后，将挠性衬底固定到所述元件形成层上。

17.如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其中所述液体是纯水。

18.如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其中所述元件形成层包括集成电路。

19.如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，还包括将所述支撑基材从所述元件形成层分离的步骤。

20.如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其中通过使用热可塑性树脂将所述挠性衬底固定到所述元件形成层上。