[发明专利]光敏层的图案化方法

权利要求书

1.一种在半导体制造中用于图案化光敏层的方法，该方法包括：

提供一个其上形成有第一层的衬底；

利用阳离子处理包括所述第一层的衬底；

在所述第一层上形成第一光敏层；

图案化所述第一光敏层以形成第一图案；

利用阳离子处理所述第一图案；

在所述已处理第一图案上形成第二光敏层；

图案化所述第二光敏层以形成第二图案；以及

使用所述第一图案与所述第二图案作为掩膜处理所述第一层，其中所 述利用阳离子处理包括所述第一层的衬底的步骤与所述利用阳离子处理所 述第一图案的步骤包括执行阳离子注入处理。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述阳离子注入处理使用选自以下 元素组的阳离子：B、H、Al、Ga、In、N、P、As、Sb、C、Si、Ge和Sn。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述阳离子注入处理包括1E9到大 约1E15cm^-2范围之间的剂量；所述阳离子注入处理包括1keV到1M keV 范围之间的能量。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述利用阳离子处理包括所述第一 层的衬底的步骤与所述利用阳离子处理所述第一图案的步骤包括执行阳离 子等离子体处理，其中所述阳离子等离子体处理使用选自以下元素组的阳 离子：B、H、He、C、N、O、F、Cl、Br、Ne和Ar。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述提供具有第一层的所述衬底的 步骤包括配置所述第一层选自以下元素组：硅、二氧化硅、氮氧化硅、有 机材料、导体材料及低介电常数材料。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述使用所述第一图案与所述第二 图案作为掩膜处理所述第一层的步骤包括蚀刻所述第一层以形成线状图案 或者孔状图案。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述提供具有第一层的所述衬底的 步骤还包括在所述第一层上提供抗反射涂层。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供一个衬底；

在所述衬底上形成第一光敏层；

利用阳离子处理所述第一光敏层；

图案化所述第一光敏层，以在所述衬底上形成第一图案；

利用阳离子处理所述第一图案；

在所述衬底和所述第一图案上形成第二光敏层；

图案化所述第二光敏层，以在所述衬底上形成第二图案；以及

使用所述第一图案与所述第二图案作为掩膜处理所述衬底；

其中所述利用阳离子处理所述第一光敏层和所述第一图案的步骤包括 执行阳离子注入处理或阳离子等离子体处理。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述利用阳离子处理所述第一光敏 层和所述第一图案的步骤包括利用硼离子或氢离子处理所述第一光敏层和 所述第一图案。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述阳离子注入处理使用选自以 下元素组的元素：Al、Ga、In、N、P、As、Sb、C、Si、Ge和Sn；而所述 阳离子等离子体处理使用选自以下元素组的元素：He、C、N、O、F、Cl、 Br、Ne、Ar。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述提供所述衬底的步骤还包括 在所述衬底上提供抗反射涂层。

12.一种用于半导体制造的方法，包括：

提供一个其上形成有处理层的衬底；

通过执行阳离子注入处理或阳离子等离子体处理来处理包括所述处理 层的衬底；

在所述处理层上形成第一光致抗蚀剂层；

图案化所述第一光致抗蚀剂层以形成第一图案；

处理所述第一图案；

在所述衬底和所述第一图案上形成第二光致抗蚀剂层；

图案化所述第二光致抗蚀剂层以形成第二图案；以及

使用所述第一图案与所述第二图案作为掩膜处理所述处理层。