[发明专利]蚀刻超薄膜的方法及蚀刻液

权利要求书

1.一种超薄膜的蚀刻方法，其特征在于，包含：

提供一衬底，其上具有厚度小于100埃的一超薄膜；

形成一光敏层在该超薄膜之上；

图形化该光敏层；

依照该光敏层的图形蚀刻该超薄膜，以图形化该超薄膜，其中蚀刻该超 薄膜的方法包含利用具有抗扩散性质的一蚀刻液，该蚀刻液包含一抗扩散剂， 该抗扩散剂增加该蚀刻液的粘度，以防止该蚀刻液中的蚀刻剂扩散至位于该 光敏层下的超薄膜，其中该蚀刻剂为具有立体障碍的有机酸或有机碱，该抗 扩散剂为甘油或大分子化合物或高分子化合物；以及

移除该光敏层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该有机酸为羧酸或磺酸。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该有机碱包含氢氧化四甲 铵。

4.一种超薄膜的蚀刻方法，其特征在于，包含：

提供一半导体衬底，其上有厚度小于100埃的一超薄膜；

形成图形化的一光刻胶层在该超薄膜上，该图形化的光刻胶层有一开口 以暴露该超薄膜的一部分；以及

以一化学蚀刻液蚀刻该超薄膜暴露的部分，其中该化学蚀刻液具有一蚀 刻剂与一抗扩散剂，该抗扩散剂增加该蚀刻液的粘度，以防止该化学蚀刻液 中的该蚀刻剂扩散至该光刻胶层下面区域而蚀刻该超薄膜的未暴露部分，其 中该蚀刻剂为具有立体障碍的有机酸或有机碱，该抗扩散剂为甘油或大分子 化合物或高分子化合物。

5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，该有机酸为羧酸或磺 酸。

6.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，该有机碱包含氢氧化 四甲铵。