[发明专利]使用加热源组合的脉冲式处理半导体加热方法

权利要求书

1.一种用于处理对象的方法，所述对象具有相反主表面，即第一表面和第二表面，所述方法包括以下步骤：

使用加热装置在背景加热模式期间以可控制的方式将热施加给对象，由此选择性地加热对象以至少在整个对象上产生第一温度；

在脉冲式加热模式下通过使第一表面经历能量的至少第一脉冲使用加热装置来加热对象的第一表面以将对象的第一表面加热至比第一温度大的第二温度；

在施加所述第一脉冲之后的冷却间隔期间允许所述第一表面冷却，由此允许对象的第一表面降至第二温度以下并且至少在有限的程度上热均衡；以及

在所述冷却间隔之后，将能量的第二脉冲施加给对象的第一表面以再热第一表面。

2.权利要求1的方法，进一步包括以下步骤：在包括至少第一脉冲、冷却间隔和第二脉冲的所述脉冲加热模式期间，将对象的第二表面维持在第一温度处。

3.权利要求1的方法，其中所述对象是半导体基片。

4.权利要求1的方法，包括以下步骤：将第二脉冲配置成将第一表面再热至第二温度。

5.权利要求2的方法，其中将对象的第二表面维持在第一温度处包括以下步骤：以与施加所述第一脉冲和所述第二脉冲的至少一个的定时关系来控制背景加热模式。

6.权利要求1的方法，其中能量的第一和第二脉冲的特征在于一组脉冲参数，并且第一和第二脉冲是用相同组的脉冲参数来施加的。

7.权利要求6的方法，其中所述脉冲参数至少部分地基于对至少一个光学特征的原地确定来确定。

8.权利要求7的方法，其中所述光学特征被选择为反射率和吸收率的至少一个。

9.权利要求6的方法，包括以下步骤：参照涉及对象的至少一个光学特征的一组所存经验数据来确定用于第一和第二脉冲的至少一个的脉冲参数。

10.权利要求1的方法，其中能量的第一和第二脉冲的特征在于一组脉冲参数，并且能量的第一和第二脉冲的每个都是用所述一组脉冲参数中的至少一个不同值来施加的。

11.权利要求10的方法，包括步骤：响应于第一和第二脉冲的每一个而改变能量的第一和第二脉冲的脉冲参数以使第一表面到达第二温度。

12.权利要求11的方法，其中脉冲参数至少部分地基于对至少一个光学特征的原地确定来确定。

13.权利要求11的方法，包括以下步骤：参照涉及对象的至少一个物理特征的一组所存经验数据来确定脉冲参数。

14.权利要求1的方法，包括以下步骤：使用激光器来产生所述第一脉冲，并且所述第一脉冲包括从1ns到10ms的持续时间。

15.权利要求1的方法，包括以下步骤：使用激光器来产生所述第二脉冲，并且所述第二脉冲包括从1ns到10ms的持续时间。

16.权利要求1的方法，包括以下步骤：使用钨卤灯和弧光灯的至少一个以作为所述背景加热模式的一部分来加热对象。

17.权利要求1的方法，包括以下步骤：使用弧光灯、闪光灯和激光器的至少一个以作为所述脉冲式加热模式的一部分来加热对象。

18.权利要求1的方法，包括以下步骤：使用至少一个闪光灯来产生所述第一脉冲，并且所述第一脉冲包括从10μs到50ms的持续时间。

19.权利要求1的方法，包括以下步骤：使用至少一个闪光灯来产生所述第二脉冲，并且所述第二脉冲包括从10μs到50ms的持续时间。

20.权利要求1的方法，包括以下步骤：以从1μs到100秒之间的时隙来串行施加第一和第二脉冲。

21.权利要求1的方法，其中第一和第二脉冲以1nJ/cm²到100J/cm²的范围内的能量密度入射于第一表面上。