[发明专利]从批式热处理装置的石英制构件中除去金属杂质的方法

权利要求书

1.一种用于在批式热处理装置中从石英制构件中除去金属杂质的 方法，其特征在于：

所述装置包括：

在垂直方向上有间隔地收纳多个被处理基板并形成热处理气氛的 处理容器，所述处理容器具有露出在所述热处理气氛中的石英制内表 面；

对所述处理容器内进行加热的加热器；

对所述处理容器内进行排气的排气系统；和

将处理气体供向所述处理容器内的处理气体供给系统，

所述方法包括：

在没有收纳作为产品的被处理基板的所述处理容器内收纳用于使 作为所述金属杂质的铝附着的多个伪基板的工序，所述伪基板具有硅 表面；

接着，通过向所述处理容器内供给含有氯的气体和水蒸气，并将 所述处理容器的所述石英制内表面加热至处理温度，对所述石英制内 表面实施烘焙处理，使铝从所述石英制内表面释放并附着在所述伪基 板上，使铝与作为所述伪基板的材料的硅结合的工序；和

接着，将附着有所述金属杂质的所述伪基板从所述处理容器内搬 出的工序，

通过交换伪基板对所述石英制内表面重复进行所述烘焙处理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述处理温度为550℃～1200℃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述含有氯的气体包括氯化氢气体。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

包括对附着在被搬出的所述伪基板上的所述金属杂质的浓度进行 测量的工序，通过交换伪基板对所述石英制内表面重复进行所述烘焙 处理，直到所述浓度为目标值以下。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

在所述烘焙处理后，利用氧气对所述处理容器内进行吹扫的工序。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述装置设置有以保持所述被处理基板的方式构成且包括石英制 部分的保持部件，

所述方法通过将所述伪基板保持在所述保持部件中的状态下收纳 在所述处理容器内，并对所述保持部件的所述石英制部分也实施所述 烘焙处理，使所述金属杂质从所述石英制部分释放并附着在所述伪基 板上。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述装置设置有包括在所述处理容器内露出在所述热处理气氛中 的石英制部分的规定部件，

所述方法通过将所述规定部件与所述伪基板一起收纳在所述处理 容器内，并对所述规定部件的所述石英制部分也实施所述烘焙处理， 使所述金属杂质从所述石英制部分释放并附着在所述伪基板上。

8.一种用于在批式热处理装置中从石英制构件中除去金属杂质的 方法，其特征在于：

所述装置包括：

在垂直方向上有间隔地收纳多个被处理基板并形成热处理气氛的 处理容器；

包括在所述处理容器内露出在所述热处理气氛中的石英制部分的 规定部件；

对所述处理容器内进行加热的加热器；

对所述处理容器内进行排气的排气系统；和

将处理气体供向所述处理容器内的处理气体供给系统，

所述方法包括：

在没有收纳作为产品的被处理基板的所述处理容器内收纳用于使 作为所述金属杂质的铝附着的多个伪基板和所述规定部件的工序，所 述伪基板具有硅表面；

接着，通过向所述处理容器内供给含有氯的气体和水蒸气，并将 所述规定部件的所述石英制部分加热至处理温度，对所述石英制部分 实施烘焙处理，使铝从所述石英制部分释放并附着在所述伪基板上， 使铝与作为所述伪基板的材料的硅结合的工序；和

接着，将附着有所述金属杂质的所述伪基板从所述处理容器内搬 出的工序，

通过交换伪基板，对所述石英制部分重复进行所述烘焙处理。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：

所述处理温度为550℃～1200℃。